Производитель: NXP Semiconductors  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  •  Модуляция частот: 9GHz  •  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz  •  Усиление: 16dB ~ 17dB  •  Мощность макcимальная: 150mW  •  Тип транзистора: NPN  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V  •  Ток коллектора (макс): 18mA  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA  •  Встречается под наим.: BFG505 T/R, BFG505 T/R-ND