Войти    Регистрация
ChipFind поиск электронных компонентов
 
   
Классический дизайн
Документация
Характеристики

BCR 114F E6327 — TRANSISTOR NPN DGTL AF TSFP-3

Производитель: Infineon Technologies  •  Вредные вещества: RoHS   Без свинца  •  Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  •  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  •  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  •  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V  •  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  •  Ток коллектора (макс): 100mA  •  Модуляция частот: 160MHz  •  Мощность макcимальная: 250mW  •  Тип транзистора: NPN - Pre-Biased  •  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  •  Корпус: TSFP-3  •  Встречается под наим.: BCR114FE6327XT, SP000014848
Архив документации

  Sure Technology  


Поставщики «BCR+114F+E6327»

ПоставщикНаименованиеПроизводительЦенаСклад
ООО "АН-ЧИП"Свежие данные!BCR 114F E6327
транзистор TRANSISTOR NPN DGTL AF TSFP-3 4-5 недель, цена по запросу; yпаковка: N/A; мин. заказ: : 1; год: DC: 20+/21
Infineon Technologies 34780
АО "Контест"BCR 114F E6327
TRANSISTOR NPN DGTL AF TSFP-3 Подробнее
Infineon Technologies


Контактная информация

КомпанияОфисТелефоныE-mailОтзывы 
АО "Контест"Москва(495) 150-88-73, Факс: (495) 150-88-736  27 Скрыть
Воронеж(473) 239-22-32
ООО "АН-ЧИП"Санкт-Петербург(812) 922-25-390  0 Скрыть
«BCR+114F+E6327» в eFind, eInfo, Google, Яндекс, Datasheet Archive
Поставщиков: 2153 отечественных и 750 зарубежных
Помощь   Настройки дизайна   Скрытые поставщики
Реклама на сайте   Разместить прайс-лист   Контакты
Распечатать