Поставщик | Наименование | Производитель | Цена | Склад | |
ООО "ВолгаИнтеграл" | 12F100 | | | | |
ALIXIN STOCK (HONG KONG) CO., LIMITED | VS-12F100 год: 22+ | Vishay | | 6000 | |
Yee Hing Technology Co., Limit | 9LG1212F1001 | 3640 | | | |
Geefook (shenzhen) Electronic Co., Ltd | RC2012F100CS Подробнее | Samsung Electro-Mechanics | 0.0136$ | 35000 | |
RN732BTTD2212F100 Подробнее | KOA Speer Electronics, Inc. | 0.0878$ | 35000 | |
RN732BTTD1112F100 Подробнее | KOA Speer Electronics, Inc. | 0.0878$ | 35000 | |
RN732BTTD6812F100 Подробнее | KOA Speer Electronics, Inc. | 0.0878$ | 35000 | |
RN732BTTD3612F100 Подробнее | KOA Speer Electronics, Inc. | 0.0878$ | 35000 | |
RN732BTTD1012F100 Подробнее | KOA Speer Electronics, Inc. | 0.0878$ | 35000 | |
RN732BTTD3012F100 Подробнее | KOA Speer Electronics, Inc. | 0.0878$ | 35000 | |
RN732BTTD5112F100 Подробнее | KOA Speer Electronics, Inc. | 0.0878$ | 35000 | |
RN732BTTD2612F100 Подробнее | KOA Speer Electronics, Inc. | 0.0878$ | 35000 | |
RN732BTTD1912F100 Подробнее | KOA Speer Electronics, Inc. | 0.0878$ | 35000 | |
RN732BTTD9312F100 Подробнее | KOA Speer Electronics, Inc. | 0.0878$ | 35000 | |
RN732BTTD4812F100 Подробнее | KOA Speer Electronics, Inc. | 0.0878$ | 35000 | |
RN732BTTD1212F100 Подробнее | KOA Speer Electronics, Inc. | 0.0878$ | 35000 | |
RN732BTTD7412F100 Подробнее | KOA Speer Electronics, Inc. | 0.0878$ | 35000 | |
RN732BTTD2912F100 Подробнее | KOA Speer Electronics, Inc. | 0.0878$ | 35000 | |
RN732BTTD2712F100 Подробнее | KOA Speer Electronics, Inc. | 0.0878$ | 35000 | |
E KO ELECTRONICS LIMITED | 9LG1212F1002 Tape and Reel; мин. заказ: : 1; год: 22+ | original | | 163 | |
RC2012F1000CS Tape and Reel; мин. заказ: : 1; год: 22+ | original | | 580 | |
Icseek Global Limited | RC2012F100CS Оригинальный и наличный и новый | SAMSUNG SEMICONDUCTOR | | 7200 | |
RC2012F1002CS Оригинальный и наличный и новый | SAMSUNG SEMICONDUCTOR | | 7200 | |
RC2012F1000CS Оригинальный и наличный и новый | SAMSUNG SEMICONDUCTOR | | 7200 | |
MC10112F1-001 Оригинальный и наличный и новый | RENESAS | | 7770 | |
RC2012F1003CS Оригинальный и наличный и новый | SAMSUNG SEMICONDUCTOR | | 7200 | |
RC2012F1001CS Оригинальный и наличный и новый | SAMSUNG SEMICONDUCTOR | | 7200 | |
RC2012F1004CS Оригинальный и наличный и новый | SAMSUNG SEMICONDUCTOR | | 7200 | |
MC10112F1-001-LU2-A Оригинальный и наличный и новый | RENESAS | | 7771 | |
Бычков Андрей | 2012 F 100nF-(CL21F104ZBNC) Керамический ЧИП конденсатор | | опт: 55 р. | 3000 | |
"Б-Союз" | 12F100 год: Internatio | | м. опт: 596.7 р. | | |
RC2012F100CS-0805-10 ОМ-1% ЧИП | | м. опт: 3.75 р. | 18 | |
HongKong Teyou Huicheng Electronic Technology Limited | MGFL2012F100MT-LF yпаковка: 0805; год: 22+ | MICROGATE | | 45000 | |
DFE322512F-100M=P2 yпаковка: SMD; год: 22+ | BEINDART/ | | 55000 | |
ООО "ЭСК" | VS-12F100 | | 525 р. м. опт: 427.5 р. | 60 | |
Digi-ic_SMART PIONEER electronic | 12F100 12 AMP SILCON RECTIFIER DO4 KK Подробнее | Solid State Inc. | | 77159 | |
VS-12F100 DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA Подробнее | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | | 108470 | |
VS-12F100M DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA Подробнее | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | | 88017 | |
12F100B BN R Y DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA Подробнее | Vishay Semiconductor Opto Division | | 90376 | |
ООО "Ди Ту" | DFE322512F-100M=P2 2 недели | MUR | | | |
DFE252012F-100M=P2 2 недели | MUR | | | |
|
Kyent Industrial Co., Limited | VS-12F100 год: 22+ | VISHAY | | 5000 | |
STXW(HK) TECHNOLOGY LIMITED | DFE322512F-100M=P2 yпаковка: 22+ | MURATA | | 5606 | |
IC STOCK TECHNOLOGY LIMITED | NRC12F1000TRF год: 1408+ | NICC | | 500 | |
MGFL2012F100MT-LF год: 2014 | MICROGATE | | 3600 | |
Shenzhen Qualcomm Shengye Technology Co. LTD | VS-12F100 yпаковка: DO-203AA (DO-4); год: 21+ | VISHAY | | 3400 | |
FY Advanced Tech | MC-10112F1-001-LU2-A | RENESAS | | 470 | |
Shenzhen Sanfeng Technology Co., Ltd | CRGP2512F100R | TE CONNECTIVITY | | 16202 | |
CRGP2512F100K | TE CONNECTIVITY | | 5237 | |
CRGCQ2512F100R | TE Connectivity | | 20275 | |
CRGCQ2512F100K | TE CONNECTIVITY | | 13898 | |
DFE322512F-100M=P2 | MURATA | | 144000 | |
DFE322512F-100M=P2 | MURATA | | 2686 | |
DFE322512F-100M=P2 | MURATA | | 372000 | |
DFE252012F-100M=P2 | MURATA | | 3525 | |
ООО "Триггер" | RC2012-F-100 Ом 1% (chip 0805) | | 0.5 р. | 2040 | |
ООО "ОРИОНЭК" | RC2012-F-100 Ом 1% (chip 0805) | | | 530 | |
HK YST ELECTRONIC LIMITED | NRC12F1000TRF yпаковка: SMD; год: 21+ | NICC | | 28808 | |
MGFL2012F100MT-LF yпаковка: SMD; год: 21+ | MICROGATE | | 28808 | |
MGFL2012F100MT-LF/MLZ2012N100L yпаковка: O805; год: 21+ | MICROGATE | | 28808 | |
King-YiKu Optoelectronics Co., Ltd. | FCI2012F-100K 22+; год: 6930 | TAI-TECH | | | |
NRC12F1000TRF 22+; год: 1500 | NICC | | | |
MGFL2012F100MT-LF 22+; год: 37000 | MICROGATE | | | |
MGFL2012F100MT-LF/MLZ2012N100L 22+; год: 1745 | MICROGATE | 805$ | | |
深圳市诺佰仕商贸有限公司 | NRC12F1000TRF NRC Series 1206 100 Ohm 0.25 W 1 % 100 ppm/C SMT Thick Film Chip Resistor | NIC COMPONENTS CORP | | 10000 | |
Jinghua Technology (HK) Co., Ltd | CRGP2512F100K мин. заказ: : 1000 | TE CONNECTIVITY | | 5237 | |
CRGP2512F100R мин. заказ: : 5000 | TE CONNECTIVITY | | 16202 | |
CRGCQ2512F100K мин. заказ: : 24000 | TE CONNECTIVITY | | 13898 | |
CRGCQ2512F100R мин. заказ: : 15000; год: 1912 | TE Connectivity | | 20275 | |
DFE322512F-100M=P2 yпаковка: Inductor Power Shielded Wirewo; мин. заказ: : 5 | MURATA | | 372000 | |
DFE252012F-100M=P2 мин. заказ: : 5 | MURATA | | 3525 | |
DFE322512F-100M=P2 yпаковка: Inductor Power Shielded Wirewo; мин. заказ: : 5 | MURATA | | 144000 | |
DFE322512F-100M=P2 мин. заказ: : 100 | MURATA | | 2686 | |
|
АО "Контест" | 12F100 Подробнее | INTERNATIONAL RECTIFIER | 936.36 р. | 26 | |
12F100B BN R Y Подробнее | VISHAY | | | |
12F100PBF Подробнее | VISHAY | | | |
Shenzhen Augswan Electronics Co., LTD. | 12F100 DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4 | Solid State Inc. | 5.05$ | 5694 | |
12F100B BN R Y Diode Standard 1000V 12A Chassis, Stud Mount DO-203AA | Vishay / Semiconductor - Opto Division | | 20201 | |
База Электроники | RC2012F100CS-0805-10 ОМ-1% ЧИП резистор | SAMSUNG | 4.17 р. | 18 | |
RC2012F100CS-0805-10 ОМ-1% ЧИП резистор | SAMSUNG | 4.17 р. | 18 | |
RC2012F100CS-0805-10 ОМ-1% ЧИП резистор | SAMSUNG | 4.17 р. | 18 | |
Acme Chip Technology Co.,Limited | 12F100 | Vishay Intertech | 4.16$ | 6736 | |
12F100 DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4 | Solid State Inc. | 5.49$ | 5634 | |
ООО "ЭНЕРГОФЛОТ" | 12F100 | | 573.75 р. | 50 | |
RC2012F100CS-0805-10 ОМ-1% ЧИП резистор | SAMSUNG | 3.9 р. | 18 | |
СИНЕРГИЯ-ДИСТРИБУЦИЯ | VS-12F100 DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA | Vishay Semiconductor Diodes Division | 9995.96 р. м. опт: 9028.17 р. опт: 7479.69 р. | 53 | |
12F100B BN R Y DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA | Vishay Semiconductor Opto Division | | | |
Дельта Электроника | VS-12F100,диод 1000В 12А DO-203AA (DO-4) | | 481.75 р. | 6-8 недель | |
12F100 | | 582.94 р. | 14 | |
12F100PBF (2008г) 1000V 12A DO-203AA | | 47.7 р. | 6-8 недель | |
RC2012-F-100 кОм 1% (chip 0805) RCT | | 0.76 р. | 6-8 недель | |
RC2012-F-100 Ом 1% (chip 0805) Extra Co | | 0.26 р. | 6-8 недель | |
VS-12F100 | | | 6-8 недель | |
12F100 | | 487.68 р. | 6-8 недель | |
A12F100M | | 569.5 р. | 6-8 недель | |
10R-0805-0.125-1%-100PPM-RC2012F100CS | | 1216.76 р. | 180 | |
VS-12F100 Vishay 1000V 12A, Silicon Junction Diode, 2-Pin DO-4 VS-12F100 | | 519.25 р. | 6-8 недель | |
DFE252012F-100M=P2 | | 26.56 р. | 6-8 недель | |
ERJ-U12F1004U | | 32.4 р. | 6-8 недель | |
DFE252012F-100M=P2, Индуктор | | 862.5 р. | 6-8 недель | |
CRGP2512F100R, SMD чип резистор, 100 Ом, CRGP Series, 500 В, Толстая Пленка, 2512 [6432 Метрический], 2 Вт | | 212.5 р. | 6-8 недель | |
RC2012-F-100 Ом 1% (chip 0805) резистор | | 0.76 р. | 2040 | |
VS-12F100 | | 656.26 р. | 60 | |
RC2012F100CS-0805-10 ОМ-1% ЧИП резистор | | 3.76 р. | 18 | |
DFE322512F-100M=P2 Чип индуктивность DFE322512F 10uH M MUR | | | 130 | |
DFE322512F-100M=P2 Дроссели | | 47.66 р. м. опт: 45.28 р. опт: 39.72 р. | 6-8 недель | |
MFR-12F- 100R | | 0.7 р. | 427 | |
ООО "Интегральные схемы" | 12F100 | | | от 7 дней | |
12F1006-9 | | | от 7 дней | |
12F100B | | | от 7 дней | |
12F100B BN R Y | | | от 7 дней | |
12F100B BN R Y | | | от 7 дней | |
12F100M | | | от 7 дней | |
12F100MIX | | | от 7 дней | |
12F100R | | | от 7 дней | |
ООО "АСПЕКТ" | 12F100 | | | от 7 дней | |
12F1006-9 | | | от 7 дней | |
12F100B | | | от 7 дней | |
12F100B BN R Y | | | от 7 дней | |
12F100B BN R Y | | | от 7 дней | |
12F100M | | | от 7 дней | |
12F100MIX | | | от 7 дней | |
12F100R | | | от 7 дней | |
ООО "МК" | 12F100 12f100 - >для заказа или запроса нажмите на> Подробнее | International Rectifier | 551 р. | 30 | |
АО "Триема" | 12F100 12F100. Товар в наличии. Доставка по РФ 3-7 дней. Оплата по счету или Сбербанк Онлайн. | | 689 р. | 50 | |
МирКомпонентов | 12F100 Диоды с импортной маркировкой Подробнее | International Rectifier | 688.5 р. | 30 | |
DFE322512F-100M=P2 Чип индуктивности Подробнее | Murata | | 130 | |
|
CHIP DIGGER LIMITED | 12F100 DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4 | Solid State Inc. | 4.36$ | 6683 | |