Войти    Регистрация
ChipFind

Новости микроэлектроники

ДКО ЭЛЕКТРОНЩИК Трехуровневые силовые IGBT-модули инверторов с SiC-диодами

Трехуровневые силовые IGBT-модули инверторов с SiC-диодамиFS3L30R07W2H3FB11 – это новый IGBT-модуль с быстродействующими карбидокремниевыми диодами Шоттки от компании Infineon. Модуль имеет топологию 3-фазного моста со связанной нейтралью и встроенным NTC-термодатчиком (рис. 1). Применение SiC-диодов CoolSiC пятого поколения позволяет повысить эффективность проектируемых изделий.

Подложка из оксида алюминия обладает высокой температурной проводимостью и улучшает тепловой режим модуля. Соединение с интерфейсной платой осуществляется методом прессовой посадки (Press-Fit), что обеспечивает надежный контакт во всем диапазоне рабочих температур благодаря эффекту «холодной сварки».

Модули FS3L30R07W2H3FB11 позволят разработчикам создать высокоэффективные ИБП, солнечные инверторы и высокоскоростные электроприводы.

Технические характеристики и особенности:
Топология: 3-уровневый 3-фазный мост;
Встроенный датчик температуры (NTC);
Напряжение коллектор-эмиттер: 650 В;
Ток коллектора: 30 А;
Напряжение насыщения VCE(sat): 1.5 В;
Напряжение падения на диоде VF: 1.6 В;
Низкие потери при переключении;
Высокоскоростные IGBT HighSpeed 3;
Быстродействующие карбидокремниевые диоды Шоттки CoolSiC 650 В;
Подложка из Al2O3 с низким температурным сопротивлением;
Технология прессовой посадки PressFIT;
Корпус: EasyPACK 2B;
Размер: 56х48х12 мм

Рис. 1. Топология модуля
Источник: https://www.electronshik.ru/news/show/6261?utm_source=chipfind_ru&utm_medium=referral&utm_term=news&utm_content=20190514&utm_campaign=FS3L30R07W2H3FB11  •  Подробнее: https://www.electronshik.ru/ne...07W2H3FB11

ДКО ЭЛЕКТРОНЩИК

https://www.electronshik.ru/Контактная информация

в оглавление

© 2006 — 2019 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
РегистрацияРеклама на сайте