Новости микроэлектроники

СЭА Электроникс, Россия → STMicroelectronics создал новое семейство ультрабыстрых HF IGBT транзисторов по новой технологии PT Planar с выходным напряжением до 600В

STMicroelectronics создал новое семейство ультрабыстрых HF IGBT транзисторов по новой технологии PT Planar с выходным напряжением до 600В

Благодаря новому профилю легирования, передовой двухпролетный процесс изготовления семейства HF IGBT значительно уменьшает эффективное сопротивление области дрейфа, стабилизирует параметры и улучшает динамические характеристики этих транзисторов особенно при высоких температурах.

Особенности:

• Рабочая частота переключения – до 100 кГц;
• Невысокая энергия выключения Eoff при высоких температурах;
• Минимальные затягивания фронтов выходных сигналов по току;
• Низкие потери проводимости и переключения;
• Антипараллельный диод: Ultra FAST для жестского режима переключения в ИБП, ИИП, преобразователях напряжения и сварочных аппаратах; Low drop Soft Recovery (с малым падением напряжения и для мягкого режима переключения) для резонансных, квазирезонансных и мягких режимов переключения в индукционных печах, сварочных аппаратах и др.;
• Минимальное тепловое сопротивление Rth корпуса TO-247LL по сравнению с TO-247.

Преимущества в сравнении с транзисторами предыдущего поколения семейства NC:

• Возможность спараллеливания транзисторов
• Меньшее на 10% напряжение насыщения Vce(sat)
• Меньшие на 10% потери при выключении
• Меньшая на 25% энергия выключения при высокой температуре

• Сварочная техника
• Индукционные печи
• Преобразователи напряжения
• ИБП
• ИИП

Основные характеристики транзисторов семейства HF IGBT - http://www.sea.com.ua/news/view633.html