Новости микроэлектроники |
| Войти Регистрация |
|
|
|
|
||||
Макро Групп → SiC MOSFET 1200 В 150 А с минимальным сопротивлением сток-исток 10 мОм в корпусе TO-247-4 от AMG Power AMG Power расширила ассортимент продукции SiC MOSFET транзистором A4G150N1200MT4. Данный транзистор, выполненный в стандартном корпусе TO-247-4, позволяет повысить плотность мощности без ущерба для надёжности устройства.Максимальный продолжительный ток 150 А и напряжение 1200 В сток-исток позволяют использовать модули в компактных высоконадёжных системах преобразования солнечной энергии, высоковольтных преобразователях постоянного тока, в том числе железнодорожного и подземного транспорта, промышленных источниках питания. Благодаря использованию технологии SiC уменьшаются потери на переключении и проводимости тока, что позволяет отказаться от мощных охлаждающих систем и обойтись только естественным охлаждением при сохранении габаритов устройства. A4G150N1200MT4 – 4 поколение SiC транзисторов AMG Power, которое управляется гибридно (15/18 В), как 2 и 3 поколение транзисторов и имеет минимальное на данный момент сопротивление Rds(on) – 10 мОм (при 18 VGS). Основные особенности транзисторов A4G150N1200MT4: - стандартный корпус стандарта TO-247-4 - сверхнизкие потери, работа на повышенных частотах - нулевые потери на обратное восстановление диода - нулевой ток выключения MOSFET - напряжение затвора (VGS): 15 В или 18 В - низкое сопротивление Rds(on): 10 мОм (при 18 VGS). Применение транзисторов: - высокочастотные преобразователи - преобразователи DC-DC - солнечные инверторы и ветрогенераторы - ИБП и ИИП - преобразователи для ЖД и горного оборудования. Источник: Макро Групп • Подробнее: https://macrogroup.ru/material...amg-power/
|
| © 2006 — 2025 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Регистрация • Реклама на сайте |