Новости микроэлектроники |
| Войти Регистрация |
|
|
|
|
||||
Макро Групп → Несогласованный 30 Вт GaN-транзистор от Qatron Qatron представляет несогласованный GaN-транзистор QA20060-30GLL, разработанный на базе технологии GaN HEMT с техпроцессом 0,25 мкм. Он обеспечивает выходную мощность не менее 30 Вт в диапазоне частот от 100 МГц до 6 ГГц при внешнем согласовании. Ключевые преимущества изделия: высокий КПД (78–83% в зависимости от условия согласования) и надежность, подтвержденная 100%-ным контролем качества на этапе производства. Транзистор QA20060-30GLL предлагается в трёх вариантах исполнения: кристалл, фланцевый и бесфланцевый герметичный металло-керамический корпус.Варианты корпусов QA20060-30GLL: - Фланцевый корпус - Бесфланцевый корпус Основные технические характеристики QA20060-30GLL: - Частотный диапазон: 0,1 – 6 ГГц - Выходная мощность: 30 Вт - КПД: 81% - Напряжение питания: 28 В - Рабочий температурный диапазон: от -40°C до +85°C Транзисторы проходят 100% выходной контроль на этапе перед отгрузкой с фабрики. По запросу предоставляются load-pull данные, образцы и рекомендации по выбору корпусов. Для использования во входной схеме доступен совместимый драйвер, также с вариантами корпусов для него. Со склада в Санкт-Петербурге доступны отладочные платы на базе данного транзистора, согласованные на диапазон 3-4 ГГц – QA20060-30GLL-EVB. Основные характеристики QA20060-30GLL-EVB: - Частотный диапазон: 3-4 ГГц - Мощность: 31 Вт - СВЧ разъёмы: SMA - Коэффициент усиления: 7,5 дБ - Напряжение питания: 28 В - Диапазон температур использования: -40 … +85 °С - Размеры: 61 × 30 × 12 мм - Вес: 200 г Компания Макро Групп является официальным поставщиком продукции Qatron в России. Источник: Макро Групп • Подробнее: https://macrogroup.ru/material...ot-qatron/
|
| © 2006 — 2025 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Регистрация • Реклама на сайте |