Новости микроэлектроники |
| Войти Регистрация |
|
|
|
|
||||
Макро Групп → Модифицированный корпус TO-247-4i с внутренней изоляцией для высоковольтных SiC MOSFET AMG Power AMG Power анонсировал выпуск нового высоковольтного SiC MOSFET в корпусе TO-247-4i с внутренней изоляцией – A2G60N1200MT4i. Этот транзистор предназначен для применения в широком спектре высокотехнологичных устройств, включая солнечные инверторы, преобразователи для железнодорожного и подземного транспорта, промышленные источники питания и быстрые зарядные станции.Основные характеристики транзистора: - максимальный продолжительный ток стока: 60 А - напряжение сток-исток: до 1200 В - снижение температуры корпуса (Tc) на 10 °С в сравнении со стандартным корпусом TO-247-4 с внешней изоляцией - повышенная устойчивость к тепловым циклам. Новый корпус TO-247-4i использует специальную технологию упаковки, которая изолирует рамку, поддерживающую чип, от радиатора на задней стороне MOSFET. Это обеспечивает электрическую изоляцию между стоком MOSFET и радиатором и значительно снижает общее тепловое сопротивление устройства. Преимущества внутренней изоляции: - снижение теплового сопротивления: внутренняя изоляция позволяет монтировать корпус транзистора напрямую на радиатор, что уменьшает тепловое сопротивление и улучшает теплоотвод - компенсация теплового расширения: внутренний изолирующий слой компенсирует разницу в коэффициентах теплового расширения между кристаллом и медным каркасом, что уменьшает рассогласование и повышает - устойчивость к тепловым циклам - упрощенный монтаж и экономия материалов: усовершенствованный корпус со встроенной изоляцией значительно облегчает монтаж, снижает производственные затраты и экономит материалы. Технические характеристики: - высокая подвижность электронов в карбиде кремния обеспечивает высокие динамические характеристики системы - компактная внутренняя компоновка снижает паразитную индуктивность в силовой цепи, что улучшает общую производительность системы - высокое запирающее напряжение при низком сопротивлении в открытом состоянии (RDS(on)) обеспечивает эффективную работу транзистора - стабильная работа в диапазоне температур от -55 °C до 175 °C позволяет использовать транзистор в различных климатических условиях - оптимизированный корпус с изолирующей поверхностью обеспечивает надёжную и долговечную работу устройства - изолирующее напряжение 2500 В при частоте 50/60 Гц и времени испытания 60 секунд гарантирует безопасность и надёжность работы транзистора. Высоковольтный SiC MOSFET A2G60N1200MT4i в корпусе TO-247-4i с внутренней изоляцией от AMG Power представляет собой революционное решение для компактных и надёжных систем преобразования энергии. Благодаря своим уникальным техническим характеристикам и преимуществам этот транзистор открывает новые возможности для разработчиков и производителей высокотехнологичных устройств. Источник: Макро Групп • Подробнее: https://macrogroup.ru/material...amg-power/
|
| © 2006 — 2026 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Регистрация • Реклама на сайте |