Новости производителей электронных компонентов

В паре с DSP-сопроцессором RK1608(A/B) серия RV стала популярной в использовании для модулей умного дома, сканеров машинного зрения для отпечатков пальцев, лиц, ADAS-систем. Потребительский рынок пополняется устройствами на основе RV1126. Как пример, Sonoff iHost Smart Home Hub. Для расширения линейки семейства предложены два бюджетных решения: RV1106 и RV1103. Процессоры оснащены ядром Cortex ARM A7, NPU (Neural Processor Unit) и работающим в поддержке микроконтроллером. Также в ближайшие кварталы ожидаются поставки нового процессора RK3576 на международный рынок. Следите за обновлениями и анонсами на нашем сайте.

Коннекторы имеют полностью изолированные контакты на каждой стороне интерфейса, чтобы предотвратить возможное искрение, уникальную конструкцию ключа для предотвращения неправильного соединения, и небольшую занимаемую площадь печатной платы, которая обеспечивает гибкость конструкции. Технологии поверхностного монтажа (SMT) и технологии сквозного монтажа (THT) обеспечивают гибкость конструкции печатных плат, а варианты SMT с зажимами и штырьками обеспечивают повышенную прочность и надежность. Соединители Molex Glow Wire Micro-Fit+ подходят для различных окружений, включая потребительские, медицинские, автомобильные, устойчивые источники энергии и телекоммуникации.

Отличительным преимуществом циркуляторов Seagnol является широкий доступный к выбору диапазон длин волн от 380 до 2100 нм. Кроме того, Seagnol производит 4-портовый циркулятор с длиной волны 780–1700 нм, который является эксклюзивным техническим предложением на рынке, особенно для длин волн 780–1064 нм. Циркуляторы Seagnol обладают высокой степенью изоляции обеспечивают эффективную маршрутизацию световых сигналов, за счет использования передовых технологий и материалов при их производстве. Это позволяет значительно увеличить производительность оптоволоконных систем и устройств. Линейка циркуляторов Seagnol включает в себя: оптический циркулятор высокой мощности, PM оптический циркулятор, широкополосный оптический циркулятор, MM оптический циркулятор. Основные технические характеристики линейки циркуляторов Seagnol: - центральная длина волны: от 380 до 2100 нм - мин. обратные потери: 0,5 дБ - макс. оптическая мощность (CW): до 20 Вт и более - тип волокна: SM/PM Panda fiber/Multimode - рабочая температура: -5…+70 °C - температура хранения: -40…+85 °C Кроме стандартных моделей циркуляторов, Seagnol также предоставляет возможность кастомизации устройств под конкретные требования, позволяя выбирать такие параметры как Пропускную способность, вносимые потери, тип импульса, степень затухания, изоляции и корпуса, и т.д.

HD Card Edge могут быть использованы для мезонинных приложений ≥20 мм. Различные варианты крепления печатных плат предлагают различные решения для экономии места, или повышения надежности с помощью этих разъемов, которые имеют шаг 0,8 мм и 20-140 контактов (с шагом 20). Краевой соединитель обеспечивает беспрепятственный путь прохождения сигнала по сравнению с системой разъемов, состоящих из двух частей, которые могут негативно воздействовать на сигнал из-за второго разъема. В результате, новые коннекторы могут обеспечить высокую скорость передачи данных при небольшой занимаемой площади и более высоком токе.

Работая на частоте до 120 МГц, данные микроконтроллеры поддерживают функции DSP и ускорены двумя встроенными DMA с 8 потоками данных каждый, а интегрированный модуль CRC32 дополнительно увеличивает вычислительные возможности. Данная серия микроконтроллеров оснащена флеш-памятью в 512 или 256 кБ, 128 кБ SRAM, а также поддержкой таких типов внешней памяти, как CF, PSRAM, NORFlash и NANDFlash, что позволит работать с требовательными приложениями. Для оптимизации энергопотребления предусмотрены 3 режима: спящий, аварийного отключения и ожидания. Серия APM32F411 оснащена: - USART x 4, UART x 2, I2C x 3, SPI x 5, QSPI x 1, CAN x 2, SDIO x 1 - до 81 I/O интерфейсов - встроенный USB_OTG - два 16-разрядных таймера с расширенными возможностями, два 32-разрядных таймера общего назначения, восемь 16-разрядных таймеров общего назначения, два сторожевых таймера и 24-разрядный Systic - два 12-разрядных высокоточных АЦП поддерживают 16 внешних каналов с максимальной частотой дискретизации до 2,4 MSPS - два независимых компаратора. Данная серия микроконтроллеров рассчитана на работу в диапазоне напряжений от 1,7 В до 3,6 В, поддерживает режим сброса при включенном и выключенном питании, сброса при снижении напряжения, а также оснащена программируемыми измерителями напряжения для обеспечения эффективного управления питанием. Благодаря высокой стойкости к помехам, способности выдерживать статический заряд ± 4000 В и функционировать при температурах от минус 40°C до 105°C, микроконтроллеры серии APM32F411 способны обеспечивать стабильную работу устройств даже при сложных внешних условиях. Микроконтроллеры доступны в различных корпусах: LQFP48/64/100, а также QFN48. Области применения микроконтроллеров серии APM32F411: - электроинструменты - системы промышленной автоматизации - источники питания - маршрутизаторы - системы «Умный дом» - 3D-принтеры. Интерфейсы: - SWD - LED - KEY - RESET KEY - GPIO - USB Type-C ОС: - Free RTOS - RT-Thread Среды разработки: - Keil: DMK-ARM - IAR Embedded Workbench - Visual Studio Code - Eclipse Компания Макро Групп является поставщиком продукции Geehy в России и готова предоставить образцы на тестирование.

Коннектор PushPull включает миниатюрный интерфейс данных для требовательных приложений, и обеспечивает визуальную идентификацию защитного зажима с помощью желтого язычка ориентации сопряжения. PushPull ix Industrial обеспечивает высоконадежное соединение в условиях сильных ударов и вибрации. Эта серия представляет собой компактное решение с высокой плотностью для сред, с ограниченным свободным пространство. Промышленные соединители HARTING Mini PushPull ix подходят для Ethernet 10 Гбит/с / Cat 6A.

Параметры модуля IGBT AMG450G1200MED: - напряжение UCES: 1200 В - ток IC: 450 А - конфигурация: полумост - корпус: типа Econodual Применение AMG450G1200MED: - управление приводами - инверторы солнечных панелей - преобразователи высокой мощности - ИБП Преимущества модуля IGBT AMG450G1200MED: - низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) =1,5 В (при 25℃) - затвор IGBT чипа по технологии MPT (micro-pattern trench) - низкие потери при переключении - надёжность RBSOA - низкие потери при обратном восстановлении - низкое значение индуктивности LsCE = 20 нГн Компания Макро Групп является поставщиком продукции AMG Power на территории России и стран СНГ.

Под воздействием входного импульса положительной полярности происходит инжекция носителей в базовую область диода. Избыточная концентрация неосновных носителей может во много раз превышать равновесную. Основные параметры импульсных диодов Основными параметрами импульсных диодов, помимо эксплуатационных параметров выпрямительного диода, являются: Емкость диода CД; максимальное импульсное прямое напряжение UПР max; максимальный импульсный обратный ток IОБР max; время восстановления прямого напряжения диода tПР; время восстановления обратного сопротивления диода tОБР. https://stabilitrony.ru/catalog/ Каталог товаров https://stabilitrony.ru/stabilitrony Стабилитроны

Стабилитроны — это кремниевые плоскостные диоды, предназначенные для стабилизации уровня постоянного напряжения в схеме при изменении в некоторых пределах тока через диод. Если обратное напряжение превышает значение Uобр. пр, происходит лавинный пробой p-n-перехода, при котором обратный ток резко возрастает при почти неизменном обратном напряжении. Такой участок характеристики (участок аб) используют стабилитроны, нормальным включением которых в цепь источника постоянного напряжения является обратное. Если обратный ток через стабилитрон не превышает некоторого значения Iст. макс, то состояние электрического пробоя не приводит к порче диода и может воспроизводиться в течение десятков и сотен тысяч часов. В качестве исходного материала при изготовлении стабилитронов используют кремний, поскольку обратные токи кремниевых р-n-переходов невелики. К основным параметрам стабилитронов относятся: напряжение стабилизации UCT— напряжение на стабилитроне при указанном номинальном токе стабилизации Iст.ном. Уровень напряжения стабилизации определяется величиною пробивного напряжения Uo6p.np, зависящего, в свою очередь, от ширины p-n-перехода, а следовательно, степени легирования кремния примесью. Для получения низковольтных стабилитронов используется сильно легированный кремний .Поэтому у стабилитронов с напряжением стабилизации. При лавинном пробое носители преобразуют энергию достаточную для ударной ионизации. При тоннельных происходит электрический пробой электронов, проникают в pn- переход под действием поля. Варикапом называется специально сконструированный диод, применяемый в качестве конденсатора переменной емкости. В варикапах используется биполярная емкость, отличающаяся малым температурным коэффициентом, малой зависимостью от частоты. В рабочем режиме прикладывается запирающее напряжение. Емкость меняется при изменении обратного напряжения. Изменяя с помощью R обратное напряжение можно изменять резонансную частоту. Добавочный резистор с большим сопротивлением включен для того, чтобы добротность контура не снижалась заметно от шунтирующего влияния потенциометра R. Без разделительного конденсатора варикап был бы замкнут накоротко катушкой для постоянного тока. Туннельные диоды Под уровнем Ферми понимается такой энергетический уровень, вероятность заполнения которого электроном равна 0,5. Полупроводники с высокой степенью лигирования называются вырожденными и используются для производства туннельных диодов. Характерной особенностью вырожденных полупроводников является расположение уровня Ферми, зависящего от концентрации примеси, не в запрещенной зоне, а в зоне проводимости для полупроводника п-типа и в валентной зоне для полупроводника р-типа. Поскольку в состоянии динамического равновесия уровень Ферми в обоих полупроводниках, образующих р-n переход, должен сравняться, то это означает, что потолок валентной зоны полупроводника р-типа получается выше дна зоны проводимости полупроводника п-типа, т.е. происходит перекрытие зон. Т.к. ширина обедненного слоя обратно пропорциональна концентрации примеси, то при высокой концентрации примеси толщина перехода мала. Такой низкий и узкий потенциальный барьер может быть преодолен электроном , имеющим энергию, меньшую высоты барьера. Возникает туннельный эффект, основанный на волновом представлении движения электрона, который как бы туннелирует через барьер. При подаче прямого напряжения уровень Ферми смещается на такую же величину, что вызывает уменьшение потенциального барьера. В диоде без внешнего напряжения существует туннелирование электронов из n-области в р-область и обратно. Встречные потоки равны и суммарный ток равен нулю. При небольшом прямом напряжении происходит уменьшение высоты барьера и смещение энергетической диаграммы п-типа относительно энергетической диаграммы р-области. Свободные энергетические уровни (занятые дырками) р-области, расположенные непосредственно под уровнем Ферми, оказываются на одной высоте по энергетической диаграмме с энергетическими уровнями n-области (занятыми электронами). Поэтому будет преимущественное туннелирование электронов из п-типа в р-тип. https://stabilitrony.ru/news/ Новости https://stabilitrony.ru/catalog/ Магазин стабилитронов в Москве, в Митино https://stabilitrony.ru/diody Купить диоды https://stabilitrony.ru/stabilitrony Купить стабилитроны https://stabilitrony.ru/tranzistory Купить транзисторы

Стабилитроны производятся с большим разнообразием стабилитронов, а некоторые даже являются переменными. Некоторые стабилитроны имеют резкий, сильно легированный p–n переход с низким стабилитроновским напряжением, и в этом случае обратная проводимость возникает из−за квантового туннелирования электронов на коротком расстоянии между областями p и n - это известно как эффект Зенера, в честь Кларенса Зенера.. Диоды с более высоким стабилитроном имеют более легкие легированные переходы, что приводит к тому, что их режим работы включает лавинный пробой. В стабилитронах присутствуют оба типа пробоя, при этом эффект Стабилитрона преобладает при более низких напряжениях, а лавинный пробой - при более высоких. Они используются для генерации маломощных стабилизированных цепей питания при более высоком напряжении и для обеспечения опорных напряжений для цепей, особенно стабилизированных источников питания. Они также используются для защиты цепей от перенапряжения, особенно от электростатического разряда. Стабилитроны широко используются в качестве эталонов напряжения и в качестве шунтирующих регуляторов для регулирования напряжения в небольших цепях. При параллельном подключении к источнику переменного напряжения с обратным смещением стабилитрон проводит ток, когда напряжение достигает напряжения обратного пробоя диода. С этого момента низкий импеданс диода поддерживает напряжение на диоде на этом значении. Таблица - 0,7В... 7,5В ↓ Таблица - 8,0В... 12,0В ↓ Таблица - 13,0В... 180,0В ↓ https://stabilitrony.ru/ https://stabilitrony.ru/catalog/ https://stabilitrony.ru/stabilitrony https://stabilitrony.ru/diody