Новости микроэлектроники

EКОМП - торговая площадка ЭЛТЕХ → Энергонезависимая память 1 Мбит с U_пит=2…3,6 В от RAMTRON

Компания RAMTRON представляет новый компонент FM25V10-G. Он имеет быстрый доступ по записи/чтению, практически неограниченное число циклов перезаписи и низкое энергопотребление (около 38 мкА на МГц), что на порядок ниже, чем в аналогичных версиях FLASH и EEPROM.

FM25V10-G — идеальная альтернатива микросхемам FLASH и EEPROM в таких применениях, как:

• Устройства управления производственными процессами;
• Измерительные приборы;
• Медицинское, военное и компьютерное оборудование;
• Автомобильные и игровые устройства.

FM25V10-G имеет SPI интерфейс и содержит доступный для чтения идентификационный номер (device ID), который хранит информацию о производителе, объеме памяти и модификации микросхемы.

Доступна также версия компонента, снабженная дополнительной функцией 64-разрядного серийного номера (FM25VN10-G).

Основные характеристики:

• Организация памяти FRAM: 1 Мбит (128 К × 8 бит);
• 10¹⁴ циклов перезаписи;
• Напряжение питания: 2,0…3,6 В;
• Последовательный интерфейс (SPI) со скоростью передачи данных до 40 MГц;
• Доступный для чтения ID устройства;
• Аппаратная и программная защита от записи;
• Доступный для чтения 64-разрядный серийный номер, с заводским программированием 16 разрядов по запросу пользователя (для FM25VN10-G);
• Ток потребления:
  — в рабочем режиме на частоте 40 МГц — не более 3 мА;
  — в режиме простоя — не более 150 мкА; — в спящем режиме — не более 8 мкА;
• Рабочий диапазон температур: -40…+85 °С;
• Корпус SOIC-8.

Полную техническую документацию можно найти на сайте производителя.

В настоящее время поставляются инженерные образцы новой микросхемы, заказать которые Вы можете, обратившись в компанию ЭЛТЕХ.