Новости микроэлектроники

Представляем перевод статьи о разработанном Texas Instruments анализаторе спектра SA13x0 – доступном инструменте для быстрого старта разработки РЧ-устройств в диапазонах Sub-1GHz и 2.4-GHz. Все большее число электронных устройств включает в свой состав встроенный радиоканал. В отличие от оборудования для их разработки и отладки, РЧ-трансиверы недороги. Назначение анализатора спектра SA13x0 – обеспечение разработчика доступным инструментом, уменьшающим затраты времени на работу с использованием дорогостоящего измерительного оборудования. SA13x0 работает на базе CC13x0 LaunchPad™, который подключается либо к ПК по USB и работает с достаточно мощным графическим интерфейсом (GUI), либо – к LCD BoosterPack™ с жидкокристаллическим дисплеем, и в этом случае функционирует в автономном режиме с управлением посредством кнопок на плате. SA13x0 совместим с любым из модулей CC13x0 LaunchPad. Особенности: - привлекательный по цене малопотребляющий портативный анализатор спектра; - экономически выгодный инструмент для разработки и отладки РЧ-систем; - работа в диапазонах Sub-1GHz и 2.4-GHz ISM; - отображение спектра либо через ПК, либо автономно через LCD. Применение: - разработка и отладка РЧ-аппаратуры; - разработка продукции Bluetooth LE, ZigBee™, Thread, Wi-Fi®, wM-BUS и 802.15.4; - определение помеховой обстановки перед размещением РЧ-оборудования. Ознакомиться со статьей вы можете, пройдя по ссылке ∙«Подробнее».

ГК ПЛАТАН заключил дистрибьюторское соглашение с компанией E-BYTE – производителем недорогих и очень популярных модулей для построения беспроводных систем передачи данных таких как LoRa, WiFi, ZigBee, Bluetooth, 4G&GPRS. Готовые модули используются в основном при ограниченных ресурсах , для ускорения разработки новых устройств а также в уже действующих разработках , где нет возможности переделывать схемотехнику. Компания производит несколько линеек беспроводных модулей используя для этого чипы таких известных брендов как SEMTECH, TexasInstruments, Nordic и чипы других производителей. Модель Интерфейс Антенна Частота Гц Мощность dBm Дистанция (км) Скорость передачи (bps) Размер (mm) Особенности E22-900M22S SPI IPX/STAMP 868M 915M 22 7 0.018~300k 14*20 Low consumption,anti-interference E22-400M22S SPI IPX/STAMP 433M 470M 22 7 0.018~300k 14*20 Low consumption, anti-interference E32-915T20S UART 915M 20 3 0.3k~19.2k 16 * 26 LoRa spread spectrum E32-868T20S UART IPEX/STAMP 868M 20 3 0.3k~19.2k 16 * 26 LoRa spread spectrum E78-400M22S SoC 433M 22 7 0.018k~62.5k 14*20 Low consumption, anti-interference E28-2G4M27S SPI PCB/IPX 2.4G 27 8 0.125M~2M 15 * 26.5 LoRa spread spectrum,FLRC E28-2G4T12S UART PCB/IPX 2.4G 12,5 3 1k ~ 2M 17.5* 28.7 LoRa spread spectrum E22-900T30S UART IPEX/STAMP 868M 915M 30 10 0.3~62.5k 40.5*25 Low consumption, anti-interference E22-400T30S UART IPEX/STAMP 433M 470M 30 10 0.3~62.5k 40.5*25 Low consumption, anti-interference E22-230T30S UART IPEX/STAMP 230M 30 10 0.3~15.6k 40.5*25 Low consumption, anti-interference E32-400T20S UART IPEX/STAMP 433M 470M 20 3 0.3k~19.2k 16 * 26 LoRa spread spectrum E22-230T22S UART IPEX/STAMP 230M 22 5 0.3k~62.5 16*26 Low consumption, anti-interference E22-900T22S UART IPEX/STAMP 868M 915M 22 5 0.3~62.5k 16*26 Low consumption, anti-interference E22-400T22S UART IPEX/STAMP 433M 470M 22 5 0.3~62.5k 16*26 Low consumption, anti-interference E22-400M30S SPI IPEX/STAMP 433M 470M 30 12 0.018~300k 24*38.5 Low consumption,anti-interference E22-900M30S SPI IPEX/STAMP 868M 915M 30 12 0.018~300k 24*38.5 Low consumption,anti-interference E19-433M20S2 SPI 433M 20 5 0.018~37.5k 15 * 15 LoRa spread spectrum E28-2G4M20S SPI PCB/IPX 2.4G 20 6 0.125M~2M 15 * 26.5 LoRa spread spectrum,FLRC E32-915T30S UART IPEX/STAMP 915M 30 8.0 0.3k~19.2k 25*40.3 LoRa spread spectrum Continuous transmiss E32-868T30S UART IPEX/STAMP 868M 30 8.0 0.3k~19.2k 25*40.3 LoRa spread spectrum Continuous transmiss E28-2G4M12S SPI PCB/IPX 2.4G 12,5 3 0.125M~2M 14*25 LoRa spread spectrum,FLRC E32-433T30S UART IPEX 433M 30 8 0.3k~19.2k 25*40.5 LoRa spread spectrum E32-433T20S1 UART 433M 20 3 0.3k~19.2k 17*25.5 LoRa spread spectrum E32-433T20S2T UART IPEX/STAMP 433M 20 3.0 0.3k~19.2k 17*30 LoRa spread spectrum E19-868M30S SPI 868M 30 10.0 0.018~37.5k 25*40 Lora spread-spectrum E32-915T30D UART SMA-K 915M 30 8.0 0.3k~19.2k 24*43 LoRa spread spectrum E19-915M30S SPI 915M 30 10.0 0.018~37.5k 25*40 Lora spread-spectrum E32-868T30D UART SMA-K 868M 30 8.0 0.3k~19.2k 24*43 LoRa spread spectrum E32-170T30D UART 170M 30 8.0 0.3k~19.2k 24*43 LoRa Spread Spectrum E32-TTL-1W (433T30D) UART 433M 30 8.0 0.3k~19.2k 24*43 LoRa spread spectrum E32-868T20D UART SMA-K 868M 20 3 0.3k~19.2k 21*36 LoRa spread spectrum E32-915T20D UART 915M 20 3 0.3k~19.2k 21*36 LoRa spread spectrum E32-TTL-100 (433T20DC) UART 433M 20 3 0.3k~19.2k 21*36 LoRa spread spectrum E19-433M30S SPI 433M 30 10 0.018~37.5k 25*37 Lora spread-spectrum E19-433M20SC SPI 433M 20 5 0.018~37.5k 17.6*25.2 Lora spread-spectrum E19-868M20S SPI 868M 20 5 0.018~37.5k 17.6*25.2 Lora spread-spectrum E19-915M20S SPI 915M 20 5.0 0.018~37.5k 17.6*25.2 Lora spread-spectrum

Необходимость увеличения эффективности и уменьшения габаритов становится движущей силой для развития импульсных преобразователей. Это касается практически всех существующих топологий преобразователей, в том числе понижающих, повышающих, обратноходовых, прямоходовых и др. Снизить габариты и увеличить плотность мощности можно за счет использования инновационных компонентов и решений. В традиционных топологиях импульсных преобразователей на МОП-транзисторах перечисленные задачи решаются с помощью силовых ключей, обладающих меньшим уровнем потерь и способных работать на более высоких частотах. В последнее время начинают появляться силовые транзисторы, изготовленные из широкозонных полупроводниковых материалов, рабочая частота которых оказывается еще выше, что позволяет дополнительно увеличить эффективность преобразователей и использовать более компактные магнитные компоненты. В результате, в высокочастотных импульсных преобразователях традиционные трансформаторы и дроссели заменяют планарными магнитными компонентами. Данная статья отвечает на два вопроса: в чем разница между традиционными и планарными магнитными компонентами. Как выбирать правильный магнитный компонент для конкретного приложения? Подробнее по ссылке >>

BLDCSHIELDTLE9879TOBO1 - Плата функционального расширения для Arduino на основе микросхемы TLE9879QXA40 однокристального трехфазного драйвера BLDC двигателя. Управление осуществляется через SPI интерфейс. В изделии реализованы алгоритмы бессенсорного векторного управления двигателем, управления по сигналам обратной ЭДС, коммутация на основе датчика Холла. Максимальный выходной ток 10 А. Диапазон выходных напряжений 6 В – 28 В. Максимальная выходная мощность 150 Вт. Максимальное напряжение источника питания 28 В. Соответствие стандарту AEC-Q100. Имеется возможность подключения до четырех шилдов к одной плате Arduino. Посмотреть характеристики, узнать наличие платы можно по ссылке>>

Power Integrations объявила о выпуске CAPZero-3, новейшего поколения элегантных энергосберегающих микросхем для разрядных X-конденсатора. Двухполюсные микросхемы CAPZero-3 позволяют разработчикам легко выполнять требованиям безопасности IEC60335 для массовых бытовых приборов, и охватывают все значения конденсаторов от 100 нФ до 6 мкФ. IEC60335 является стандартом безопасности разряда для всех бытовых приборов. Чтобы защитить пользователя от поражения электрическим током, требуется, чтобы напряжение на входном X конденсаторе разряжалось до уровня менее 34 В, в течение менее одной секунды после отключения переменного тока. Микросхемы CAPZero-3 блокируют прохождение тока через разрядные резисторы X-конденсатора при подключении напряжения переменного тока, и автоматически разряжают X-конденсаторы через эти резисторы при отключении переменного тока. Микросхемы CAPZero-3 упрощают конструкцию фильтра электромагнитных помех, позволяя использовать более крупные X-конденсаторы, что, в свою очередь, позволяет использовать меньшие индуктивные компоненты без изменения энергопотребления.

STEVAL-FCU001V1 - Плата компактного полетного контроллера с образцом встроенного программного обеспечения для квадрокоптера малого или среднего размера, что позволяет сразу же начать управлять квадрокоптером со щеточными или бесщеточными двигателями постоянного тока и оценить работу изделия в реальных условиях полета. Плата разработана и изготовлена на основе ARM-Cortex-M4 микроконтроллера STM32F401, сетевого процессорного модуля для Bluetooth Smart v4.1 с очень низким энергопотреблением и комплекта датчиков, включающих инерциальный модуль iNEMO, барометрический датчик и магнитометр. Для разработки и отладки своего ПО доступны интерфейсы SWD, I2C и USART. Больше информации о STEVAL-FCU001V1 по ссылке >>

Компания Wolfspeed (Cree) выпустила SiC-МОП транзистор 1200 В, 32 мОм, 63 А в корпусе TO-247-4 – C3M0032120K. SiC-МОП транзистор 1200 В, 32 мОм, 63 А в корпусе TO-247-4 Технические характеристики C3M0032120K: - напряжение пробоя: 1200 В - ток (при 25°C): 63 A - Rds(On): 32 мОм - тип корпуса: TO-247-4 - суммарный заряд затвора: 118 нКл - максимальная температура перехода: 175 °C - заряд обратного восстановления: 478 нКл - выходная ёмкость: 129 пФ - время обратного восстановления: 27 нс. Применение: - возобновляемые источники энергии - зарядные устройства электромобилей - источники бесперебойного питания (ИБП) - управление двигателем - импульсные источники питания - хранение энергии. Компания Макро Групп является официальным дистрибьютором продукции Wolfspeed в России. Для более детального знакомства с характеристиками скачайте техническое описание C3M0032120D.

Компания Power Integration информирует, что их 200-вольтовые диоды Qspeed™ LQ10N200CQ и LQ20N200CQ теперь доступны с автомобильной квалификацией AEC-Q101. Кремниевые диоды Qspeed используют технологию гибридного PIN-диода, чтобы обеспечить уникальный баланс мягкого переключения и низкого заряда обратного восстановления (Qrr). Это приводит к снижению уровня электромагнитных помех и снижению выходного шума, что особенно важно для автомобильных аудиосистем. Квалифицированные 200 В диоды имеют самый низкий в отрасли заряд обратного восстановления, типовой 32,4 нК при ТJ 125 °С, и коэффициент мягкости диодов 0,39. Это сводит к минимуму высокочастотные электромагнитные помехи, присущие выпрямителям Шоттки, часто используемым в выходных каскадах усилителя мощности класса D. Двойные диоды с общим катодом 10 и 20 A размещены в стандартном прочном корпусе DPAK TO-252. Документация по ссылкам LQ10N200CQ и LQ20N200CQ. Power Integrations, Inc является ведущим инноватором в области разработки и производства полупроводниковых микросхем для источников питания. Продукты компании являются основными элементами в построении экологичных и энергоэффективных систем, мощностью от милливатт до мегаватт.

Компания Power Integrations анонсировала новые микросхемы высокой плотности мощности семейства LYTSwitch-6 – гальванически изолированные микросхемы LED драйверов для умного освещения и источников питания высокого класса. Новые микросхемы с применением технологии PowiGaN позволяют создавать устройства мощностью до 110 Вт и эффективностью до 94 %, используя при этом простую и универсальную обратноходовую топологию. 110 Вт микросхемы для LED драйверов LYTSwitch-6 со встроенным транзистором от Power Integrations Высокая эффективность новых микросхем позволят устранить необходимость в использовании металлических радиаторов, что значительно снижает габариты устройства, вес и требования к охлаждающему воздушному потоку. 750 В транзистор PowiGaN имеет очень низкое сопротивление и, соответственно, потери на проводимость. Эта особенность новых микросхем в сочетании с другими решениями в LYTSwitch-6 увеличивает КПД источника до 3 % выше относительно традиционных решений, что позволяет снизить выделяемое микросхемой тепло более чем на одну треть. Технология токочувствительности с нулевыми потерями так же способствует повышению эффективности. Новые микросхемы обладают всеми преимуществами семейства, в том числе быстрым обратным откликом, который позволяет добиться отличного кросс-регулирования для параллельных светодиодных цепочек без дополнительных регулировочных элементов. Это позволяет создавать простые системы ШИМ управления с низкими пульсациями. Новинки позиционируются как изолированные решения для систем умного освещения в жилых, офисных и торговых помещениях, а так же как компактные решения для низкопрофильных светильников и других сфер с ограничениями в габаритах драйвера. Power Integrations, Inc является ведущим инноватором в области разработки и производства полупроводниковых микросхем для источников питания. Продукты компании являются основными элементами в построении экологичных и энергоэффективных систем, мощностью от милливатт до мегаватт.

HEMT-транзисторами Infineon можно управлять и с помощью драйверов для MOSFET. Но недостатки методов, применяемых для этого, заставляют обратить внимание на специализированные драйверы GaN EiceDRIVER™. Освоение технологии производства мощных кремниевых полупроводниковых приборов позволило в свое время совершить настоящий переворот в области силовой преобразовательной техники. С их появлением стало возможным создавать малогабаритные и надежные преобразователи, которые сегодня используются практически в любой технике, начиная от компактных носимых устройств и заканчивая тяговыми инверторами для всех видов транспорта. Однако очень скоро стало очевидно, что из-за наличия ряда принципиально неустранимых недостатков кремниевые транзисторы стали одним из главных сдерживающих факторов дальнейшего развития этой отрасли электроники, что стимулировало проведение масштабных исследований, направленных на поиск новых типов полупроводниковых приборов и технологий их изготовления. Читать статью по ссылке "подробнее" >>