Войти    Регистрация
ChipFind

Новости микроэлектроники

Макро ГруппВысокопроизводительные микроконтроллеры на Arm-Cortex-M4F от Geehy

Работая на частоте до 120 МГц, данные микроконтроллеры поддерживают функции DSP и ускорены двумя встроенными DMA с 8 потоками данных каждый, а интегрированный модуль CRC32 дополнительно увеличивает вычислительные возможности. Данная серия микроконтроллеров оснащена флеш-памятью в 512 или 256 кБ, 128 кБ SRAM, а также поддержкой таких типов внешней памяти, как CF, PSRAM, NORFlash и NANDFlash, что позволит работать с требовательными приложениями. Для оптимизации энергопотребления предусмотрены 3 режима: спящий, аварийного отключения и ожидания. Серия APM32F411 оснащена: - USART x 4, UART x 2, I2C x 3, SPI x 5, QSPI x 1, CAN x 2, SDIO x 1 - до 81 I/O интерфейсов - встроенный USB_OTG - два 16-разрядных таймера с расширенными возможностями, два 32-разрядных таймера общего назначения, восемь 16-разрядных таймеров общего назначения, два сторожевых таймера и 24-разрядный Systic - два 12-разрядных высокоточных АЦП поддерживают 16 внешних каналов с максимальной частотой дискретизации до 2,4 MSPS - два независимых компаратора. Данная серия микроконтроллеров рассчитана на работу в диапазоне напряжений от 1,7 В до 3,6 В, поддерживает режим сброса при включенном и выключенном питании, сброса при снижении напряжения, а также оснащена программируемыми измерителями напряжения для обеспечения эффективного управления питанием. Благодаря высокой стойкости к помехам, способности выдерживать статический заряд ± 4000 В и функционировать при температурах от минус 40°C до 105°C, микроконтроллеры серии APM32F411 способны обеспечивать стабильную работу устройств даже при сложных внешних условиях. Микроконтроллеры доступны в различных корпусах: LQFP48/64/100, а также QFN48. Области применения микроконтроллеров серии APM32F411: - электроинструменты - системы промышленной автоматизации - источники питания - маршрутизаторы - системы «Умный дом» - 3D-принтеры. Интерфейсы: - SWD - LED - KEY - RESET KEY - GPIO - USB Type-C ОС: - Free RTOS - RT-Thread Среды разработки: - Keil: DMK-ARM - IAR Embedded Workbench - Visual Studio Code - Eclipse Компания Макро Групп является поставщиком продукции Geehy в России и готова предоставить образцы на тестирование.
16 января 2024, 16:09 • Источник: Макро Групп

АТОСПромышленные соединители HARTING Mini PushPull ix

Коннектор PushPull включает миниатюрный интерфейс данных для требовательных приложений, и обеспечивает визуальную идентификацию защитного зажима с помощью желтого язычка ориентации сопряжения. PushPull ix Industrial обеспечивает высоконадежное соединение в условиях сильных ударов и вибрации. Эта серия представляет собой компактное решение с высокой плотностью для сред, с ограниченным свободным пространство. Промышленные соединители HARTING Mini PushPull ix подходят для Ethernet 10 Гбит/с / Cat 6A.
11 января 2024, 11:30 • Источник: https://atos.ru/news/promyishlennyie-soediniteli-harting-mini-pushpull-ix/

Макро ГруппIGBT модуль 1200 В 450 А от AMG Power

Параметры модуля IGBT AMG450G1200MED: - напряжение UCES: 1200 В - ток IC: 450 А - конфигурация: полумост - корпус: типа Econodual Применение AMG450G1200MED: - управление приводами - инверторы солнечных панелей - преобразователи высокой мощности - ИБП Преимущества модуля IGBT AMG450G1200MED: - низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) =1,5 В (при 25℃) - затвор IGBT чипа по технологии MPT (micro-pattern trench) - низкие потери при переключении - надёжность RBSOA - низкие потери при обратном восстановлении - низкое значение индуктивности LsCE = 20 нГн Компания Макро Групп является поставщиком продукции AMG Power на территории России и стран СНГ.
11 января 2024, 10:46 • Источник: Макро Групп

РАДИО-ПРАЙСПараметры универсальных и импульсных диодов

Под воздействием входного импульса положительной полярности происходит инжекция носителей в базовую область диода. Избыточная концентрация неосновных носителей может во много раз превышать равновесную. Основные параметры импульсных диодов Основными параметрами импульсных диодов, помимо эксплуатационных параметров выпрямительного диода, являются: Емкость диода CД; максимальное импульсное прямое напряжение UПР max; максимальный импульсный обратный ток IОБР max; время восстановления прямого напряжения диода tПР; время восстановления обратного сопротивления диода tОБР. https://stabilitrony.ru/catalog/ Каталог товаров https://stabilitrony.ru/stabilitrony Стабилитроны

РАДИО-ПРАЙСИмпульсные диоды. Стабилитроны отечественные. Область применения, параметры и характеристики

Стабилитроны — это кремниевые плоскостные диоды, предназначенные для стабилизации уровня постоянного напряжения в схеме при изменении в некоторых пределах тока через диод. Если обратное напряжение превышает значение Uобр. пр, происходит лавинный пробой p-n-перехода, при котором обратный ток резко возрастает при почти неизменном обратном напряжении. Такой участок характеристики (участок аб) используют стабилитроны, нормальным включением которых в цепь источника постоянного напряжения является обратное. Если обратный ток через стабилитрон не превышает некоторого значения Iст. макс, то состояние электрического пробоя не приводит к порче диода и может воспроизводиться в течение десятков и сотен тысяч часов. В качестве исходного материала при изготовлении стабилитронов используют кремний, поскольку обратные токи кремниевых р-n-переходов невелики. К основным параметрам стабилитронов относятся: напряжение стабилизации UCT— напряжение на стабилитроне при указанном номинальном токе стабилизации Iст.ном. Уровень напряжения стабилизации определяется величиною пробивного напряжения Uo6p.np, зависящего, в свою очередь, от ширины p-n-перехода, а следовательно, степени легирования кремния примесью. Для получения низковольтных стабилитронов используется сильно легированный кремний .Поэтому у стабилитронов с напряжением стабилизации. При лавинном пробое носители преобразуют энергию достаточную для ударной ионизации. При тоннельных происходит электрический пробой электронов, проникают в pn- переход под действием поля. Варикапом называется специально сконструированный диод, применяемый в качестве конденсатора переменной емкости. В варикапах используется биполярная емкость, отличающаяся малым температурным коэффициентом, малой зависимостью от частоты. В рабочем режиме прикладывается запирающее напряжение. Емкость меняется при изменении обратного напряжения. Изменяя с помощью R обратное напряжение можно изменять резонансную частоту. Добавочный резистор с большим сопротивлением включен для того, чтобы добротность контура не снижалась заметно от шунтирующего влияния потенциометра R. Без разделительного конденсатора варикап был бы замкнут накоротко катушкой для постоянного тока. Туннельные диоды Под уровнем Ферми понимается такой энергетический уровень, вероятность заполнения которого электроном равна 0,5. Полупроводники с высокой степенью лигирования называются вырожденными и используются для производства туннельных диодов. Характерной особенностью вырожденных полупроводников является расположение уровня Ферми, зависящего от концентрации примеси, не в запрещенной зоне, а в зоне проводимости для полупроводника п-типа и в валентной зоне для полупроводника р-типа. Поскольку в состоянии динамического равновесия уровень Ферми в обоих полупроводниках, образующих р-n переход, должен сравняться, то это означает, что потолок валентной зоны полупроводника р-типа получается выше дна зоны проводимости полупроводника п-типа, т.е. происходит перекрытие зон. Т.к. ширина обедненного слоя обратно пропорциональна концентрации примеси, то при высокой концентрации примеси толщина перехода мала. Такой низкий и узкий потенциальный барьер может быть преодолен электроном , имеющим энергию, меньшую высоты барьера. Возникает туннельный эффект, основанный на волновом представлении движения электрона, который как бы туннелирует через барьер. При подаче прямого напряжения уровень Ферми смещается на такую же величину, что вызывает уменьшение потенциального барьера. В диоде без внешнего напряжения существует туннелирование электронов из n-области в р-область и обратно. Встречные потоки равны и суммарный ток равен нулю. При небольшом прямом напряжении происходит уменьшение высоты барьера и смещение энергетической диаграммы п-типа относительно энергетической диаграммы р-области. Свободные энергетические уровни (занятые дырками) р-области, расположенные непосредственно под уровнем Ферми, оказываются на одной высоте по энергетической диаграмме с энергетическими уровнями n-области (занятыми электронами). Поэтому будет преимущественное туннелирование электронов из п-типа в р-тип. https://stabilitrony.ru/news/ Новости https://stabilitrony.ru/catalog/ Магазин стабилитронов в Москве, в Митино https://stabilitrony.ru/diody Купить диоды https://stabilitrony.ru/stabilitrony Купить стабилитроны https://stabilitrony.ru/tranzistory Купить транзисторы

РАДИО-ПРАЙСПараметры отечественных стабилитронов. Таблица сравнения

Стабилитроны производятся с большим разнообразием стабилитронов, а некоторые даже являются переменными. Некоторые стабилитроны имеют резкий, сильно легированный p–n переход с низким стабилитроновским напряжением, и в этом случае обратная проводимость возникает из−за квантового туннелирования электронов на коротком расстоянии между областями p и n - это известно как эффект Зенера, в честь Кларенса Зенера.. Диоды с более высоким стабилитроном имеют более легкие легированные переходы, что приводит к тому, что их режим работы включает лавинный пробой. В стабилитронах присутствуют оба типа пробоя, при этом эффект Стабилитрона преобладает при более низких напряжениях, а лавинный пробой - при более высоких. Они используются для генерации маломощных стабилизированных цепей питания при более высоком напряжении и для обеспечения опорных напряжений для цепей, особенно стабилизированных источников питания. Они также используются для защиты цепей от перенапряжения, особенно от электростатического разряда. Стабилитроны широко используются в качестве эталонов напряжения и в качестве шунтирующих регуляторов для регулирования напряжения в небольших цепях. При параллельном подключении к источнику переменного напряжения с обратным смещением стабилитрон проводит ток, когда напряжение достигает напряжения обратного пробоя диода. С этого момента низкий импеданс диода поддерживает напряжение на диоде на этом значении. Таблица - 0,7В... 7,5В ↓ Таблица - 8,0В... 12,0В ↓ Таблица - 13,0В... 180,0В ↓ https://stabilitrony.ru/ https://stabilitrony.ru/catalog/ https://stabilitrony.ru/stabilitrony https://stabilitrony.ru/diody

ООО "Производственное Объединение ОВЕН"Компания ОВЕН снимает с продаж вилки и розетки типа К с 09.01.2024

В связи с дефицитом материала снимаются с продаж розетки типа К исполнения «стандарт» и «мини» и вилки типа «мини». На данный момент ведётся проработка замены вилок и розеток на другого поставщика материала. Ориентировочно возобновить продажи уже под другой маркировкой сможем со второго квартала 2024 года, о чём будет сообщено дополнительно. Другие типы вилок и розеток есть в наличии на складе и остаются в продаже: https://owen.ru/product/raz_emi_dlya_preobrazovatelej_termoelektricheskih
9 января 2024, 14:44

Sapphire ElectronicsSapphelec Tech-поставщик Электронные компоненты, которому вы доверяете.

Sapphirelec Tech is your trusted distributor of electronic components. 上海赛芙埃电子有限公司是你值得信赖的电子元器件分销商。 Skype: Sapphirele Tech Whatsapp: 8613620954057
8 января 2024, 19:26 • Источник: https://www.linkedin.com/feed/update/urn:li:activity:7150147421396742144

Mei Chuang Xin Ke (Shenzhen) Electronics Co., LTDMei Chuang Xin Ke : Независимый дистрибьютор электронных компонентов, поддерживающий оплату в виртуальной валюте и рублях

Наши продукты, в том числе: 1. Пассивные компоненты Конденсаторы, соединители, кристаллы, фильтры, предохранители, разъемы ИС, катушки индуктивности, генераторы, потенциометры, реле, резисторы, переключатели 2. Активные компоненты Преобразователи, диоды, дискретные полупроводники, интегральные схемы, память, микроконтроллеры, микропроцессоры, транзисторы Наша сила: 1. Стабильные поставки и комплектные электронные компоненты; 2. С богатыми брендами, такими как ON, ST, TI ,AD ,Microchip ,NXP ,Xilinx и т. д.; 3. Работает на этой линии более 20 лет; 4. Наши клиенты в основном продаются в Западной Европе и Северной Америке, поэтому наши цены относительно конкурентоспособны. 5. В то же время мы предлагаем плюралистический способ обмена: NET, виртуальная валюта Если у вас есть какие-либо требования к электронным компонентам, пожалуйста, не стесняйтесь присылать мне свои запросы здесь.
2 января 2024, 10:05

АТОСEPCOS выпускает новую серию варисторов для защиты от перенапряжения с усовершенствованным мониторингом

Серия MT25 (B72225M*) в настоящее время охватывает диапазон напряжений от 150 до 385 ВСКЗ, а ее максимальный импульсный ток составляет 20 кА при форме импульса 8/20 мкс, в соответствии с IEC 61643-11. Полностью закрытые защитные компоненты отличаются особенно компактной конструкцией, их размер составляет 25 x 28 x 14 мм. Контрольные выходы опционально доступны с гальванической изоляцией или без нее. Серия MT30 (B72230M*) включает компоненты, которые рассчитаны на напряжения от 150 до 750 ВСКЗ. Его максимальный импульсный ток составляет 25 кА при форме импульса 8/20 мкс в соответствии с IEC 61643-11, при размерах 34 x 28 x 14 мм. Выходы контроля этих варисторов имеют гальваническую развязку

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
РегистрацияРеклама на сайте