Главная Подключить склад Ещё |
✖
Вход на сайт
|
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BCR 112L3 E6327-ND Infineon Technologies | TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 | 1476 от 10-12 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON, INFINEON | BCR 112L3 E6327 INFINEON, INFINEON | Дата изготовления:N/A Тип упаковки: N/A | 3000 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BCR 112L3 E6327 Infineon Technologies Артикул:BCR 112L3 E6327 | TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 4536 В упаковке: 1 шт. Минимальный заказ:1 шт. | 36989 1-2 недели |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BCR 112L3 E6327 Infineon Technologies Корпус:TRANSISTOR NPN DGTL | транзистор Дата изготовления:DC: 20+/21+/22+ Минимальный заказ:1 | 34777 4-5 недель, цена по запросу |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BCR 112L3 E6327 Infineon Technologies | TRANS PREBIAS NPN 50V TSLP-3 Дата изготовления:2023 | 5475 1-3 days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BCR 112L3 E6327 Infineon Technologies | all parts new & original only!DC:22+ Дата изготовления:DC22+ | 26360 China & HongKong - 3 days |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BCR 112L3 E6327-ND Infineon Technologies | TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 | 2952 от 10-12 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BCR 112L3 E6327 Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN DGTL AF TSLP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: | 3829 От 11 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BCR 112L3 E6327 Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN DGTL AF TSLP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: | 2272 от 7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BCR 112L3 E6327 Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN DGTL AF TSLP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: | 2766 От 8 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies AG | BCR 112L3 E6327 Infineon Technologies AG | 1446 По запросу. 2-3 недели. |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BCR 112L3 E6327 Infineon Артикул:BCR 112L3 E6327 | Минимальный заказ:1 штука | по запросу по запросу |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BCR 112L3 E6327 Infineon Technologies Артикул:BCR112L3E6327-ND | TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 | 0 по запросу заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BCR 112L3 E6327 Infineon Technologies Артикул:BCR112L3E6327-ND | TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 | 0 по запросу заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
BCR112L3E6327 | Минимальный заказ:от одной штуки | под заказ 5-7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BCR 112L3 E6327 Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN DGTL AF TSLP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: | 10-14 дней | |||
Infineon Technologies | BCR 112L3 E6327-ND Infineon Technologies | TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 | 10-14 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BCR 112L3 E6327 Infineon | TRANSISTOR NPN DGTL AF T Description:TRANSISTOR NPN DGTL AF TSLP-3 Transistor Type:NPN - Pre-Biased Current - Collector (Ic) (Max):100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V Resistor - Base (R1) (Ohms):4.7k Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms): | от 3-4 недель заказать |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BCR 112L3 E6327 Infineon | . Возможна срочная поставка за 7 дней за доп. плату. | От 5 недель |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BCR 112L3 E6327 Infineon Technologies | TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 | 0 7...10 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BCR 112L3 E6327 Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN DGTL AF TSLP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: | 10-14 дней | |||
Infineon Technologies | BCR 112L3 E6327-ND Infineon Technologies | TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 | 10-14 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BCR 112L3 E6327 Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN DGTL AF TSLP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: | по запросу От 6 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BCR 112L3 E6327 Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN DGTL AF TSLP-3 | 0, условия поставки по запросу |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon | BCR 112L3 E6327 Infineon | TRANSISTOR NPN DGTL AF TSLP-3 |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | BCR 112L3 E6327 Infineon Technologies | 5-7 дней | ||||
BCR 112L3 E6327 | 5-7 дней | |||||
INFINEON | BCR 112L3 E6327 INFINEON | 5-7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
BCR 112L3 E6327 | от 7 дней |
Производитель | Наименование | Информация | Цены | Склад | ||
---|---|---|---|---|---|---|
BCR 112L3 E6327 | от 7 дней |
|
2002— «ЭтЛайт» Администрация: +7 (812) 309-50-30, [email protected] Расширение для браузера · Телеграм-бот · Аналитика · English version |
KRDAl4kiQlHiJlBT 0328
|