Интегральные микросхемы  ·  Корректировка коэффициента мощности (PFC)

Режим: Average Current  ·  Частота - переключений: 250kHz  ·  Напряжение старта: 150µA  ·  Напряжение питания: 10.8 V ~ 17 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 85°C  ·  Корпус: 16-SOIC (3.9мм ширина)

Режим: Average Current  ·  Частота - переключений: 250kHz  ·  Напряжение старта: 150µA  ·  Напряжение питания: 10.8 V ~ 17 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 85°C  ·  Корпус: 16-SOIC (3.9мм ширина)

Режим: Average Current  ·  Частота - переключений: 250kHz  ·  Напряжение старта: 150µA  ·  Напряжение питания: 10.8 V ~ 17 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 85°C  ·  Корпус: 16-DIP (300 mil)

Режим: Average Current  ·  Частота - переключений: 100кГц  ·  Напряжение старта: 150µA  ·  Напряжение питания: 9.7 V ~ 18 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 85°C  ·  Корпус: 20-SOIC (7.5мм ширина)

Режим: Average Current  ·  Частота - переключений: 100кГц  ·  Напряжение старта: 150µA  ·  Напряжение питания: 9.7 V ~ 18 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 85°C  ·  Корпус: 20-SOIC (7.5мм ширина)

Режим: Average Current  ·  Частота - переключений: 100кГц  ·  Напряжение старта: 150µA  ·  Напряжение питания: 9.7 V ~ 18 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 85°C  ·  Корпус: 20-DIP (300 mil)

Режим: Average Current  ·  Частота - переключений: 100кГц  ·  Напряжение старта: 150µA  ·  Напряжение питания: 9.7 V ~ 18 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 85°C  ·  Корпус: 20-SOIC (7.5мм ширина)

Режим: Average Current  ·  Частота - переключений: 100кГц  ·  Напряжение старта: 150µA  ·  Напряжение питания: 9.7 V ~ 18 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 85°C  ·  Корпус: 20-SOIC (7.5мм ширина)

Режим: Average Current  ·  Частота - переключений: 100кГц  ·  Напряжение старта: 150µA  ·  Напряжение питания: 9.7 V ~ 18 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 85°C  ·  Корпус: 20-DIP (300 mil)

Режим: Average Current  ·  Частота - переключений: 100кГц  ·  Напряжение старта: 150µA  ·  Напряжение питания: 9.7 V ~ 18 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 85°C  ·  Корпус: 20-SOIC (7.5мм ширина)

Режим: Average Current  ·  Частота - переключений: 100кГц  ·  Напряжение старта: 150µA  ·  Напряжение питания: 9.7 V ~ 18 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 85°C  ·  Корпус: 20-SOIC (7.5мм ширина)

Режим: Average Current  ·  Частота - переключений: 100кГц  ·  Напряжение старта: 150µA  ·  Напряжение питания: 9.7 V ~ 18 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 85°C  ·  Корпус: 20-DIP (300 mil)

Режим: Average Current  ·  Частота - переключений: 100кГц  ·  Напряжение старта: 150µA  ·  Напряжение питания: 9.7 V ~ 18 V  ·  Рабочая температура: -40°C ~ 85°C  ·  Корпус: 20-SOIC (7.5мм ширина)