Войти Регистрация |
|
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
CS8312YDR8 | ON Semiconductor | IC PREDRIVER IGBT IGNITION 8SOIC Конфигурация: Low-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 30µs · Ток пиковое значение: 5mA · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 1 · Напряжение питания: 7 V ~ 10 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |