Войти Регистрация |
|
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
NCP337BTG | ON Semiconductor | IC MOSFET DVR | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
ADP3120AJRZ-RL | ON Semiconductor | IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8SOIC Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: PWM · Время задержки: 45ns · Ток пиковое значение: 1.5A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 35V · Напряжение питания: 4.15 V ~ 13.2 V · Рабочая температура: 0°C ~ 85°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
NCV7513AFTR2G | ON Semiconductor | IC PREDRIVER HEX LOW SIDE 32LQFP Серия: FLEXMOS™ · Конфигурация: Low-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 1.0µs · Число конфигураций: 6 · Число выходов: 6 · Напряжение питания: 4.75 V ~ 5.25 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 32-LQFP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
NCP5106APG | ON Semiconductor | IC DRIVER HI/LO 600V 8-DIP Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 100ns · Ток пиковое значение: 250mA · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 600В · Напряжение питания: 10 V ~ 20 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 8-DIP (300 mil) | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
MC33153DR2G | ON Semiconductor | IC DRIVER GATE SINGLE IGBT 8SOIC Конфигурация: Low-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 80ns · Ток пиковое значение: 1A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 1 · Напряжение питания: 11 V ~ 20 V · Рабочая температура: -40°C ~ 105°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
NCV33152DR2G | ON Semiconductor | IC MOSFET DRVR DUAL HS 8-SOIC Конфигурация: Low-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 55ns · Ток пиковое значение: 1.5A · Число конфигураций: 2 · Число выходов: 2 · Напряжение питания: 6.5 V ~ 18 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
MC33153DG | ON Semiconductor | IC DRIVER GATE SINGLE IGBT 8SOIC Конфигурация: Low-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 80ns · Ток пиковое значение: 1A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 1 · Напряжение питания: 11 V ~ 20 V · Рабочая температура: -40°C ~ 105°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
MC34152P | ON Semiconductor | IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8DIP Конфигурация: Low-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 55ns · Ток пиковое значение: 1.5A · Число конфигураций: 2 · Число выходов: 2 · Напряжение питания: 6.5 V ~ 18 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 8-DIP (300 mil) | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
MC33152VDR2G | ON Semiconductor | IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8-SOIC Конфигурация: Low-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 55ns · Ток пиковое значение: 1.5A · Число конфигураций: 2 · Число выходов: 2 · Напряжение питания: 6.5 V ~ 18 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
MC34151DR2G | ON Semiconductor | IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8-SOIC Конфигурация: Low-Side · Тип входа: Inverting · Время задержки: 35ns · Ток пиковое значение: 1.5A · Число конфигураций: 2 · Число выходов: 2 · Напряжение питания: 6.5 V ~ 18 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
MC33151DR2 | ON Semiconductor | IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8-SOIC Конфигурация: Low-Side · Тип входа: Inverting · Время задержки: 35ns · Ток пиковое значение: 1.5A · Число конфигураций: 2 · Число выходов: 2 · Напряжение питания: 6.5 V ~ 18 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
ADP3110AKRZ-RL | ON Semiconductor | IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8SOIC Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: PWM · Время задержки: 45ns · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 35V · Напряжение питания: 4.6 V ~ 13.2 V · Рабочая температура: 0°C ~ 85°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
NCP3488DR2G | ON Semiconductor | IC MOSFET DRVR DUAL 12V 8-SOIC Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: PWM · Время задержки: 30ns · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 30В · Напряжение питания: 4.6 V ~ 13.2 V · Рабочая температура: 0°C ~ 85°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
CS8312YDR8 | ON Semiconductor | IC PREDRIVER IGBT IGNITION 8SOIC Конфигурация: Low-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 30µs · Ток пиковое значение: 5mA · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 1 · Напряжение питания: 7 V ~ 10 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
NCV7517FTR2G | ON Semiconductor | IC PREDRIVER HEX LOSIDE 32-LQFP Серия: FLEXMOS™ · Конфигурация: Low-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 1.0µs · Ток пиковое значение: 26.25mA · Число конфигураций: 6 · Число выходов: 6 · Напряжение питания: 4.75 V ~ 5.25 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 32-LQFP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
NCV7510DWR2G | ON Semiconductor | IC PREDRIVER FLEXMOS 20-SOIC Серия: FLEXMOS™ · Конфигурация: High-Side · Тип входа: PWM · Время задержки: 800ns · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 1 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 50V · Напряжение питания: 4.75 V ~ 5.25 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 20-SOIC (7.5мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
NCP3418ADR2G | ON Semiconductor | IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-SOIC Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: PWM · Время задержки: 30ns · Ток пиковое значение: 1.5A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 30В · Напряжение питания: 4.6 V ~ 13.2 V · Рабочая температура: 0°C ~ 85°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
ADP3419JRMZ-REEL | ON Semiconductor | IC MOSFET DVR DUAL BOOTST 10MSOP Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: PWM · Время задержки: 32ns · Ток пиковое значение: 1A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 30В · Напряжение питания: 4.6 V ~ 6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 100°C · Корпус: 10-MSOP, Micro10™, 10-uMAX, 10-uSOP | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
MC34151DR2 | ON Semiconductor | IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8-SOIC Конфигурация: Low-Side · Тип входа: Inverting · Время задержки: 35ns · Ток пиковое значение: 1.5A · Число конфигураций: 2 · Число выходов: 2 · Напряжение питания: 6.5 V ~ 18 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
ADP3121JCPZ-RL | ON Semiconductor | IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8LFCSP Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: PWM · Время задержки: 35ns · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Напряжение питания: 4.15 V ~ 13.2 V · Рабочая температура: 0°C ~ 85°C · Корпус: 8-LFCSP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
NCP3418BDR2G | ON Semiconductor | IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-SOIC Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: PWM · Время задержки: 30ns · Ток пиковое значение: 1.5A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 30В · Напряжение питания: 4.6 V ~ 13.2 V · Рабочая температура: 0°C ~ 85°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
MC33152VDG | ON Semiconductor | IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8-SOIC Конфигурация: Low-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 55ns · Ток пиковое значение: 1.5A · Число конфигураций: 2 · Число выходов: 2 · Напряжение питания: 6.5 V ~ 18 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
MC33151DG | ON Semiconductor | IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8-SOIC Конфигурация: Low-Side · Тип входа: Inverting · Время задержки: 35ns · Ток пиковое значение: 1.5A · Число конфигураций: 2 · Число выходов: 2 · Напряжение питания: 6.5 V ~ 18 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
MC33152DG | ON Semiconductor | IC DRIVER MOSFET DUAL HS 8SOIC Конфигурация: Low-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 55ns · Ток пиковое значение: 1.5A · Число конфигураций: 2 · Число выходов: 2 · Напряжение питания: 6.5 V ~ 18 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
NCP5351MNR2G | ON Semiconductor | IC DRVR SYNC BUCK MOSF 4A 10DFN Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: Inverting and Non-Inverting · Время задержки: 45ns · Ток пиковое значение: 4A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 25V · Напряжение питания: 4.5 V ~ 6.3 V · Рабочая температура: -30°C ~ 85°C · Корпус: 10-DFN | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |