Войти Регистрация |
|
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
NCP3418BDR2G | ON Semiconductor | IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-SOIC Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: PWM · Время задержки: 30ns · Ток пиковое значение: 1.5A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 30В · Напряжение питания: 4.6 V ~ 13.2 V · Рабочая температура: 0°C ~ 85°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
MC34152D | ON Semiconductor | IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8-SOIC Конфигурация: Low-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 55ns · Ток пиковое значение: 1.5A · Число конфигураций: 2 · Число выходов: 2 · Напряжение питания: 6.5 V ~ 18 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
CS8312YN8 | ON Semiconductor | IC PREDRIVER IGBT IGNITION 8DIP Конфигурация: Low-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 30µs · Ток пиковое значение: 5mA · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 1 · Напряжение питания: 7 V ~ 10 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 8-DIP (300 mil) | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
ADP3416JRZ-REEL | ON Semiconductor | IC MOSFET DRIVER DUAL 7V 8SOIC Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: PWM · Время задержки: 65ns · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 30В · Напряжение питания: 4.15 V ~ 7.5 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
MC33152D | ON Semiconductor | IC DRIVER MOSFET DUAL HS 8SOIC Конфигурация: Low-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 55ns · Ток пиковое значение: 1.5A · Число конфигураций: 2 · Число выходов: 2 · Напряжение питания: 6.5 V ~ 18 V · Рабочая температура: -40°C ~ 85°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
ADP3419JRMZ-REEL | ON Semiconductor | IC MOSFET DVR DUAL BOOTST 10MSOP Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: PWM · Время задержки: 32ns · Ток пиковое значение: 1A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 30В · Напряжение питания: 4.6 V ~ 6 V · Рабочая температура: 0°C ~ 100°C · Корпус: 10-MSOP, Micro10™, 10-uMAX, 10-uSOP | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
NCP5104PG | ON Semiconductor | IC DRIVER HALF BRIDGE HV 8-DIP Конфигурация: Half Bridge · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 620ns · Ток пиковое значение: 250mA · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 600В · Напряжение питания: 10 V ~ 20 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 8-DIP (300 mil) | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
MC33151D | ON Semiconductor | IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8-SOIC Конфигурация: Low-Side · Тип входа: Inverting · Время задержки: 35ns · Ток пиковое значение: 1.5A · Число конфигураций: 2 · Число выходов: 2 · Напряжение питания: 6.5 V ~ 18 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
MC34151DG | ON Semiconductor | IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8SOIC Конфигурация: Low-Side · Тип входа: Inverting · Время задержки: 35ns · Ток пиковое значение: 1.5A · Число конфигураций: 2 · Число выходов: 2 · Напряжение питания: 6.5 V ~ 18 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
NCP5351MNR2G | ON Semiconductor | IC DRVR SYNC BUCK MOSF 4A 10DFN Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: Inverting and Non-Inverting · Время задержки: 45ns · Ток пиковое значение: 4A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 25V · Напряжение питания: 4.5 V ~ 6.3 V · Рабочая температура: -30°C ~ 85°C · Корпус: 10-DFN | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
NCP5351DR2 | ON Semiconductor | IC DRIVER MOSFET DUAL 4A 8SOIC Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: Inverting and Non-Inverting · Время задержки: 45ns · Ток пиковое значение: 4A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 25V · Напряжение питания: 4.5 V ~ 6.3 V · Рабочая температура: -30°C ~ 85°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
CS8312YDR8 | ON Semiconductor | IC PREDRIVER IGBT IGNITION 8SOIC Конфигурация: Low-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 30µs · Ток пиковое значение: 5mA · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 1 · Напряжение питания: 7 V ~ 10 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
NCP3418ADR2 | ON Semiconductor | IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-SOIC Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: PWM · Время задержки: 30ns · Ток пиковое значение: 1.5A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 30В · Напряжение питания: 4.6 V ~ 13.2 V · Рабочая температура: 0°C ~ 85°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
NCV7517FTG | ON Semiconductor | IC PREDRIVER HEX LOSIDE 32-LQFP Серия: FLEXMOS™ · Конфигурация: Low-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 1.0µs · Ток пиковое значение: 26.25mA · Число конфигураций: 6 · Число выходов: 6 · Напряжение питания: 4.75 V ~ 5.25 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 32-LQFP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
MC34152DR2 | ON Semiconductor | IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8-SOIC Конфигурация: Low-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 55ns · Ток пиковое значение: 1.5A · Число конфигураций: 2 · Число выходов: 2 · Напряжение питания: 6.5 V ~ 18 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
NCP5359AMNR2G | ON Semiconductor | IC MOSFET GATE DVR DUAL 10-DFN | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
MC34151DR2G | ON Semiconductor | IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8-SOIC Конфигурация: Low-Side · Тип входа: Inverting · Время задержки: 35ns · Ток пиковое значение: 1.5A · Число конфигураций: 2 · Число выходов: 2 · Напряжение питания: 6.5 V ~ 18 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
ADP3110AKRZ-RL | ON Semiconductor | IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8SOIC Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: PWM · Время задержки: 45ns · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 35V · Напряжение питания: 4.6 V ~ 13.2 V · Рабочая температура: 0°C ~ 85°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
MC33151VDR2 | ON Semiconductor | IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8-SOIC Конфигурация: Low-Side · Тип входа: Inverting · Время задержки: 35ns · Ток пиковое значение: 1.5A · Число конфигураций: 2 · Число выходов: 2 · Напряжение питания: 6.5 V ~ 18 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
NCV7513AFTR2G | ON Semiconductor | IC PREDRIVER HEX LOW SIDE 32LQFP Серия: FLEXMOS™ · Конфигурация: Low-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 1.0µs · Число конфигураций: 6 · Число выходов: 6 · Напряжение питания: 4.75 V ~ 5.25 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 32-LQFP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
MC34151D | ON Semiconductor | IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8SOIC Конфигурация: Low-Side · Тип входа: Inverting · Время задержки: 35ns · Ток пиковое значение: 1.5A · Число конфигураций: 2 · Число выходов: 2 · Напряжение питания: 6.5 V ~ 18 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
MC34152DR2G | ON Semiconductor | IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8-SOIC Конфигурация: Low-Side · Тип входа: Non-Inverting · Время задержки: 55ns · Ток пиковое значение: 1.5A · Число конфигураций: 2 · Число выходов: 2 · Напряжение питания: 6.5 V ~ 18 V · Рабочая температура: 0°C ~ 70°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
NCP3418APDR2 | ON Semiconductor | IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-SOIC Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: PWM · Время задержки: 30ns · Ток пиковое значение: 1.5A · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 30В · Напряжение питания: 4.6 V ~ 13.2 V · Рабочая температура: 0°C ~ 85°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) Exposed Pad, 8-eSOIC. 8-HSOIC | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
NCP5111DR2G | ON Semiconductor | IC DRIVER HI/LOW SIDE HV 8-SOIC Конфигурация: Half Bridge · Тип входа: Inverting · Время задержки: 750ns · Ток пиковое значение: 250mA · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 600В · Напряжение питания: 10 V ~ 20 V · Рабочая температура: -40°C ~ 125°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
ADP3121JRZ-RL | ON Semiconductor | IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8SOIC Конфигурация: High and Low Side, Synchronous · Тип входа: PWM · Время задержки: 35ns · Число конфигураций: 1 · Число выходов: 2 · Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка): 35V · Напряжение питания: 4.15 V ~ 13.2 V · Рабочая температура: 0°C ~ 85°C · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |