Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

Производитель



















Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)





























































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic


























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Ток коллектора (макс)

















































































Ток отсечки коллетора (vfrc)

































Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce
















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Мощность макcимальная



















































































































































Модуляция частот




















































































































Тип транзистора







Тип монтажа


Корпус








































































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
ZXTS1000NE6TAZXTS1000NE6TADiodes/ZetexTRANS PNP SW LOW SAT SOT23-6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 40mV @ 10mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 1.25A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 10nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 725mW  ·  Модуляция частот: 220MHz  ·  Тип транзистора: PNP + Diode (Isolated)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXTS1000E6TCZXTS1000E6TCDiodes/ZetexTRANSISTOR/SCHOTTKY PNP SOT23-6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 40mV @ 10mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 1.25A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 10nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 725mW  ·  Модуляция частот: 220MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXTS1000E6TAZXTS1000E6TADiodes/ZetexTRANS PNP/DIODE SCHOTTKY SOT23-6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 40mV @ 10mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 1.25A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 10nA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 725mW  ·  Модуляция частот: 220MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-6
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXTP5401ZTAZXTP5401ZTADiodes/ZetexTRANS PNP 150V SOT89
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 150V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 1.2W  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-89-3, TO-243-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXTP5401GTAZXTP5401GTADiodes/ZetexTRANSISTOR PNP 150V SOT223
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 150V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXTP5401FLTAZXTP5401FLTADiodes/ZetexTRANSISTOR PNP 150V SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 150V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 10mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 600mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 330mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXTP25140BFHTAZXTP25140BFHTADiodes/ZetexTRANSISTOR PNP 140V 1A SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 140V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 50mV @ 10mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.05W  ·  Модуляция частот: 75MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXTP25100CZTAZXTP25100CZTADiodes/ZetexTRANSISTOR PNP 100V SOT89
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 315mV @ 20mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 2.4W  ·  Модуляция частот: 180MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-89-3, TO-243-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXTP25100CFHTAZXTP25100CFHTADiodes/ZetexTRANS PNP MED PWR 100V SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 730мВт  ·  Модуляция частот: 180MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXTP25100BFHTAZXTP25100BFHTADiodes/ZetexTRANSISTOR PNP 100V 2A SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 100V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 2A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.05W  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXTP25060BFHTAZXTP25060BFHTADiodes/ZetexTRANSISTOR PNP 60V 3A SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 60V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 55mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.05W  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXTP25040DZTAZXTP25040DZTADiodes/ZetexTRANS PNP HI GAIN 40V SOT89
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 90mV @ 100mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 3.5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 2.4W  ·  Модуляция частот: 270MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-89-3, TO-243-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXTP25040DFLTAZXTP25040DFLTADiodes/ZetexTRANSISTOR PNP 40V 1.5A SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 95mV @ 20mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1.5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Модуляция частот: 270MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXTP25040DFHTAZXTP25040DFHTADiodes/ZetexTRANSISTOR PNP 40V 3A SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 20mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 3A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.05W  ·  Модуляция частот: 270MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXTP25020DZTAZXTP25020DZTADiodes/ZetexTRANS PNP HI GAIN 20V SOT89
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 65mV @ 100mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 2.4W  ·  Модуляция частот: 290MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-89-3, TO-243-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXTP25020DGTAZXTP25020DGTADiodes/ZetexTRANS PNP HI GAIN 20V SOT223
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 65mV @ 100mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 6A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 3Вт  ·  Модуляция частот: 290MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXTP25020DFLTAZXTP25020DFLTADiodes/ZetexTRANS PNP LOW POWER 20V SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 85mV @ 100mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 1.5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 350mW  ·  Модуляция частот: 290MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXTP25020DFHTAZXTP25020DFHTADiodes/ZetexTRANS PNP MED PWR 20V SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 60mV @ 100mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.05W  ·  Модуляция частот: 290MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXTP25020CFHZXTP25020CFHDiodes/ZetexTRANS PNP 20V 4A MED PWR SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 55mV @ 100mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.05W  ·  Модуляция частот: 285MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXTP25020CFFTAZXTP25020CFFTADiodes/ZetexTRANS PNP MED PWR 20V SOT23F-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 110mV @ 20mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 4.5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.5Вт  ·  Модуляция частот: 285MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3 Flat Leads, SOT-23F-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXTP25020BFHTAZXTP25020BFHTADiodes/ZetexTRANSISTOR PNP 20V 4.5A SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 60mV @ 100mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.05W  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXTP25015DFHTAZXTP25015DFHTADiodes/ZetexTRANS PNP MED PWR 15V SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 10mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.25W  ·  Модуляция частот: 295MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXTP25015DFHZXTP25015DFHDiodes/ZetexTRANS PNP 15V 4A MED PWR SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 55mV @ 100mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.05W  ·  Модуляция частот: 295MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXTP25012EZTAZXTP25012EZTADiodes/ZetexTRANS PNP HI GAIN 12V SOT89
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 70mV @ 100mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 4.5A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 2.4W  ·  Модуляция частот: 310MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-89-3, TO-243-3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
ZXTP25012EFHTAZXTP25012EFHTADiodes/ZetexTRANS PNP MED PWR 12V SOT23-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 65mV @ 100mA, 1A  ·  Ток коллектора (макс): 4A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V  ·  Мощность макcимальная: 1.05W  ·  Модуляция частот: 310MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  предыдущая12345678 ... 359  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте