2DB1188P-13 | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V · Мощность макcимальная: 1Вт · Модуляция частот: 120MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-89-3, TO-243-3

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	2DB1188R-13	Diodes Inc	TRANSISTOR BIPO PNP 32V SOT89-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V · Мощность макcимальная: 1Вт · Модуляция частот: 120MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-89-3, TO-243-3	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	2DB1188Q-13	Diodes Inc	TRANS BIPO PNP 32V SOT89-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A · Ток коллектора (макс): 2A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V · Мощность макcимальная: 1Вт · Модуляция частот: 120MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-89-3, TO-243-3	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

2DB1188P-13 — TRANS BIPO PNP 32V SOT89-3

Схожие по характеристикам