2DB1132R-13 | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (одиночные) (Transistors (BJT) - Single) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V · Мощность макcимальная: 1Вт · Модуляция частот: 190MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-89-3, TO-243-3

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	2DB1132P-13	Diodes Inc	TRANS PNP BIPO 32V SOT89-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 3V · Мощность макcимальная: 1Вт · Модуляция частот: 190MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-89-3, TO-243-3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	2DB1132Q-13	Diodes Inc	TRANS BIPO PNP 32V SOT89-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA · Ток коллектора (макс): 1A · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V · Мощность макcимальная: 1Вт · Модуляция частот: 190MHz · Тип транзистора: PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-89-3, TO-243-3	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (одиночные)

2DB1132R-13 — TRANSISTOR BIPO PNP 32V SOT89-3

Схожие по характеристикам