Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (одиночные)

 
2DB1132Q-13

- Габаритный чертеж
- Габаритный чертеж
- Габаритный чертеж

2DB1132Q-13 — TRANS BIPO PNP 32V SOT89-3

ПроизводительDiodes Inc
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)32V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic500mV @ 50mA, 500mA
Ток коллектора (макс)1A
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce120 @ 100mA, 3V
Мощность макcимальная1Вт
Модуляция частот190MHz
Тип транзистораPNP
Тип монтажаПоверхностный монтаж
КорпусSOT-89-3, TO-243-3
Встречается под наим.2DB1132QDICT
Документацияds31142.pdf на сайте diodes.com
Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
2DB1132R-132DB1132R-13Diodes IncTRANSISTOR BIPO PNP 32V SOT89-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 190MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-89-3, TO-243-3
от 19,93
от 60,65
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
2DB1132P-13Diodes IncTRANS PNP BIPO 32V SOT89-3
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 32V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA  ·  Ток коллектора (макс): 1A  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 3V  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Модуляция частот: 190MHz  ·  Тип транзистора: PNP  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-89-3, TO-243-3
от 14,73Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине

Поискать «2DB1132Q-13» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2019 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте