Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (сборки, Pre-Biased)

 
XN0111500L

- Габаритный чертеж
- Габаритный чертеж

XN0111500L — TRANS ARRAY PNP/PNP W/RES MINI5P

ПроизводительPanasonic - SSG
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)50V
Сопротивление базы (Ом)10K
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce160 @ 5mA, 10V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
Ток коллектора (макс)100mA
Ток отсечки коллетора (vfrc)500nA
Модуляция частот80MHz
Мощность макcимальная300mW
Тип транзистора2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting TypeSurface Mount
КорпусMini 5P
Встречается под наим.XN0111500LDKR
Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
XN0111600LXN0111600LPanasonic - SSGTRANS ARRAY PNP/PNP W/RES MINI5P
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Модуляция частот: 80MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: Mini 5P
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
XN0111400LXN0111400LPanasonic - SSGTRANS ARRAY PNP/PNP W/RES MINI5P
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.1K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Модуляция частот: 80MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: Mini 5P
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
XN0411500LXN0411500LPanasonic - SSGTRANS ARRAY PNP/PNP W/RES MINI6P
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Модуляция частот: 80MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: Mini 6P
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
XN0111000LXN0111000LPanasonic - SSGTRANS ARRAY PNP/PNP W/RES MINI5P
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Модуляция частот: 80MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: Mini 5P
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
XN0111100LXN0111100LPanasonic - SSGTRANS ARRAY PNP/PNP W/RES MINI5P
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Модуляция частот: 80MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: Mini 5P
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «XN0111500L» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте