Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (сборки, Pre-Biased)

 
UP04112G0L

- Габаритный чертеж

UP04112G0L — TRANS ARRAY PNP/PNP W/RES SSMINI

ПроизводительPanasonic - SSG
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)50V
Сопротивление базы (Ом)22K
Сопротивление эмитер - база (Ом)22K
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce60 @ 5mA, 10V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
Ток коллектора (макс)100mA
Модуляция частот80MHz
Тип транзистора2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting TypeSurface Mount
КорпусSSMini6-F2
Встречается под наим.UP04112G0LTR
Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
XN0111200LXN0111200LPanasonic - SSGTRANS ARRAY PNP/PNP W/RES MINI5P
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 22K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Модуляция частот: 80MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: Mini 5P
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
XP0111200LXP0111200LPanasonic - SSGTRANS ARRAY PNP/PNP W/RES S MINI
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 22K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Модуляция частот: 80MHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: S-Mini 5P
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
XN0411200LXN0411200LPanasonic - SSGTRANS ARRAY PNP/PNP W/RES MINI6P
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 22K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Модуляция частот: 80MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: Mini 6P
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
UP0411200LUP0411200LPanasonic - SSGTRANS ARRAY PNP/PNP W/RES SSMINI
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 22K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Модуляция частот: 80MHz  ·  Мощность макcимальная: 125mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SS Mini 6P
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
XP0411200LXP0411200LPanasonic - SSGTRANS ARRAY PNP/PNP W/RES S MINI
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 22K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Модуляция частот: 80MHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: S-Mini 6P
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «UP04112G0L» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте