- Дополнительное фото - Габаритный чертеж |
EMB10T2R — TRANS DUAL PNP 50V 100MA EMT6
Производитель | Rohm Semiconductor |
Вредные вещества | RoHS Без свинца |
| Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.) | 50V |
Сопротивление базы (Ом) | 2.2K |
Сопротивление эмитер - база (Ом) | 104 |
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Ток коллектора (макс) | 100mA |
Модуляция частот | 250MHz |
Мощность макcимальная | 150mW |
Тип транзистора | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Mounting Type | Surface Mount |
Корпус | EMT6 |
Встречается под наим. | EMB10T2RDKR |
|