Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (сборки, Pre-Biased)

 

EMA6DXV5T5G — TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-553

ПроизводительON Semiconductor
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)50V
Сопротивление базы (Ом)47K
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce160 @ 5mA, 10V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic250mV @ 1mA, 10mA
Ток коллектора (макс)100mA
Ток отсечки коллетора (vfrc)500nA
Мощность макcимальная338mW
Тип транзистора2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting TypeSurface Mount
КорпусSOT-553, SOT-5
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
EMA6DXV5T1ON SemiconductorTRANS BR DUAL COMMON EMIT SOT553
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Мощность макcимальная: 338mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SOT-553, SOT-5
Доп. информация
Искать в поставщиках
EMA6DXV5T1GEMA6DXV5T1GON SemiconductorTRANS BR DUAL COMMON EMIT SOT553
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Мощность макcимальная: 338mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SOT-553, SOT-5
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «EMA6DXV5T5G» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте