Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (сборки, Pre-Biased)

 
EMA4T2R

EMA4T2R — TRANS DUAL PNP 50V 100MA EMT5 TR

ПроизводительRohm Semiconductor
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)50V
Сопротивление базы (Ом)10K
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 1mA, 5V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic300mV @ 1mA, 10mA
Ток коллектора (макс)100mA
Модуляция частот250MHz
Мощность макcимальная150mW
Тип транзистора2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting TypeSurface Mount
КорпусEMT5
Документацияuma4n.pdf на сайте rohm.com
Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
EMB4T2REMB4T2RRohm SemiconductorTRANS DUAL PNP 50V 100MA EMT6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: EMT6
от 11,60
от 49,42
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UMB4NTNUMB4NTNRohm SemiconductorTRANS DUAL PNP 50V 100MA SOT-363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 6,02
от 8,70
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UMB8NTRRohm SemiconductorTRANS DUAL PNP 50V 100MA SOT-363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 12,97Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UMA4NTRRohm SemiconductorTRANS DUAL PNP 50V 100MA SOT-353
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 250MHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-5, SC-88A, SOT-323-5, SOT-353, 5-TSSOP
от 8,70Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине

Поискать «EMA4T2R» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2019 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте