Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (сборки, Pre-Biased)

 

DDA122TH-7 — TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT-563

ПроизводительDiodes Inc
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Обратите вниманиеCooper Lead Frame Change 06 июл 2007
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)50V
Сопротивление базы (Ом)220
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 1mA, 5V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Ток коллектора (макс)100mA
Модуляция частот200MHz
Мощность макcимальная150mW
Тип транзистора2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting TypeSurface Mount
КорпусSOT-563
Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
DDA142TH-7Diodes IncTRANS PREBIAS PNP 150MW SOT-563
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 470  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SOT-563
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
DDC122TH-7Diodes IncTRANS PREBIAS PNP 150MW SOT-563
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 220  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Мощность макcимальная: 150mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SOT-563
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «DDA122TH-7» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте