Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (сборки, Pre-Biased)

 
BCR 08PN E6433

BCR 08PN E6433 — TRANSISTOR ARRAY NPN/PNP SOT-363

ПроизводительInfineon Technologies
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)50V
Сопротивление базы (Ом)2.2K
Сопротивление эмитер - база (Ом)47K
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce70 @ 5mA, 5V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
Ток коллектора (макс)100mA
Модуляция частот170MHz
Мощность макcимальная250mW
Тип транзистора1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting TypeSurface Mount
КорпусSC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Встречается под наим.BCR08PNE6433XT, SP000083564
ДокументацияНа сайте infineon.com
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
BCR 08PN E6327BCR 08PN E6327Infineon TechnologiesTRANS ARRAY NPN/PNP DGTL SOT-363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 2.2K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 170MHz  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 8,45
от 68,45
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине

Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
BCR 108S E6433BCR 108S E6433Infineon TechnologiesTRANSISTOR NPN DGTL SOT-363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 2.2K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 170MHz  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 5,32Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BCR 108S E6327BCR 108S E6327Infineon TechnologiesTRANSISTOR NPN DGTL SOT-363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 2.2K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 170MHz  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 5,32Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине

Поискать «BCR 08PN E6433» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2019 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте