Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
EMF21T2R | Rohm Semiconductor | TRANS DUAL PNP/NPN EMT6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V / 30 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA / 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA · Модуляция частот: 250MHz, 260MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: EMT6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
EMF22T2R | Rohm Semiconductor | TRANS DUAL PNP/NPN EMT6 TR Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V / 30 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA / 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA · Модуляция частот: 250MHz, 320MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: EMT6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
EMF5T2R | Rohm Semiconductor | TRANS DUAL PNP/NPN EMT6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V / 68 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA / 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA · Модуляция частот: 250MHz, 260MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: EMT6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
EMF5XV6T5 | ON Semiconductor | TRANS BRT PNP PWR MNGMT SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA · Ток коллектора (макс): 100mA, 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
EMF5XV6T5G | ON Semiconductor | TRANS BRT PNP PWR MNGMT SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V, 12V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA · Ток коллектора (макс): 100mA, 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: 1 NPN Prebiased, 1 PNP · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
EMG11T2R | Rohm Semiconductor | TRANS DUAL NPN 50V 100MA EMT5 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 104 · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: EMT5 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
EMG1T2R | Rohm Semiconductor | TRANS DUAL NPN 50V 30MA EMT5 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: EMT5 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
EMG2DXV5T1 | ON Semiconductor | TRANS BRT NPN DUAL BIAS SOT-553 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Мощность макcимальная: 338mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-553, SOT-5 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
EMG2DXV5T1G | ON Semiconductor | TRANS BRT NPN DUAL BIAS SOT-553 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Мощность макcимальная: 338mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-553, SOT-5 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
EMG2DXV5T5 | ON Semiconductor | TRANS BRT NPN DUAL BIAS SOT-553 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Мощность макcимальная: 338mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-553, SOT-5 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
EMG2DXV5T5G | ON Semiconductor | TRANS BRT NPN DUAL BIAS SOT-553 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Мощность макcимальная: 338mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-553, SOT-5 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
EMG2T2R | Rohm Semiconductor | TRANS DUAL NPN 50V 30MA EMT5 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: EMT5 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
EMG4T2R | Rohm Semiconductor | TRANS DUAL NPN 50V 100MA EMT5 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: EMT5 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
EMG5T2R | Rohm Semiconductor | TRANS DUAL NPN 50V 70MA EMT5 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.1K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: EMT5 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
EMG8T2R | Rohm Semiconductor | TRANS DUAL NPN 50V 100MA EMT5 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: EMT5 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
EMG9T2R | Rohm Semiconductor | TRANS DUAL NPN 50V 50MA EMT5 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: EMT5 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
EMH10T2R | Rohm Semiconductor | TRANS DUAL NPN 50V 100MA EMT6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: EMT6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
EMH11T2R | Rohm Semiconductor | TRANS DUAL NPN 50V 50MA EMT6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: EMT6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
EMH1T2R | Rohm Semiconductor | TRANS DUAL NPN 50V 30MA EMT6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: EMT6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
EMH2T2R | Rohm Semiconductor | TRANS DUAL NPN 50V 30MA EMT6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: EMT6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
EMH3T2R | Rohm Semiconductor | TRANS DUAL NPN 50V 100MA EMT6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: EMT6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
EMH4T2R | Rohm Semiconductor | TRANS DUAL NPN 50V 100MA EMT6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: EMT6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
EMH6T2R | Rohm Semiconductor | TRANS DUAL NPN 50V 30MA EMT6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: EMT6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
EMH9T2R | Rohm Semiconductor | TRANS DUAL NPN 50V 70MA EMT6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.1K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: EMT6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FMA10AT148 | Rohm Semiconductor | TRANS DUAL PNP 50V 100MA SMT5 TR Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 1K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 100 · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-74-5, SOT-753 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |