Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (сборки, Pre-Biased)

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 130MHz  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 2.2K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 170MHz  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 200MHz  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 47K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 70mA  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40V, 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 22K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V / 60 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 5mA, 100mA / 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SS Mini-6 (SOT-666)

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 2.2K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V, 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 22K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V / 60 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 10mA, 200mA / 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Модуляция частот: 280MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SS Mini-6 (SOT-666)

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 2.2K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363