Биполярные транзисторы (сборки, Pre-Biased) | Дискретные полупроводники

Diodes Inc
Infineon Technologies
NXP Semiconductors
ON Semiconductor
Panasonic - SSG
Rohm Semiconductor

12V, 50V
15V
15V, 50V
20В
20V, 50V
30V, 50V
40V, 50V
50V
50V, 12V
50V, 30V
50V, 50V
50V, 60V
50V, 65V

100, 10K
175, 175, 10K
220
270
470
1K
1K, 10K
2.2K
2.2K, 100K
2.2K, 2.2K
2.2K, 47K
3.3K
4.7K
4.7K, 10K
4.7K, 1K
4.7K, 47K
10K
10K, 10K
10K, 22K
10K, 47K
22K
22K, 4.7K
47K
47K, 10K
47K, 1K
47K, 2.2K
47K, 22K
47K, 4.7K
47K, 510
100K

100
104
470
1K
2.1K
2.2K
2.2K, 47K
4.7K
4.7K, 10K
4.7K, 4.7K
10K
10K, 10K
10K, 2.1K
10K, 47K
21K
22K
22K, 47K
47K
47K, 10K
47K, 2.1K
47K, 47K
47K, 5.1K
100K

3 @ 5mA, 10V
8 @ 5mA, 10V
10 @ 1mA, 5V
15 @ 5mA, 10V
15, 35 @ 5mA, 10V
20 @ 10mA, 5V
20 @ 1A, 2 / 30 @ 20mA, 5V
20 @ 5mA, 10V
20 @ 5mA, 10V / 80 @ 5mA, 10V
20, 80 @ 5mA, 10V
30 @ 10mA, 5V
30 @ 20mA, 5V
30 @ 5mA, 10V
30 @ 5mA, 5V
30, 200 @ 10mA, 5V
30, 33 @ 5mA, 5V
30, 80 @ 5mA, 10V
33 @ 5mA, 5V
35 @ 5mA, 10V
35 @ 5mA, 10V / 80 @ 5mA, 10V
35, 80 @ 5mA, 10V
50 @ 100mA, 10V
50 @ 10mA, 5V
50 @ 5mA, 5V
56 @ 10mA, 5V
56 @ 5mA, 5V
60 @ 5mA, 10V
60 @ 5mA, 5V
68 @ 100mA, 5V / 100 @ 1mA, 5V
68 @ 10mA, 5V
68 @ 5mA, 5V
68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V
68, 100 @ 1mA, 5V
70 @ 50mA, 5V
70 @ 5mA, 5V
80 @ 10mA, 5V
80 @ 500mA, 2V
80 @ 5mA, 10V
80 @ 5mA, 10V / 120 @ 1mA, 6V
80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V
80 @ 5mA, 10V / 50 @ 100mA, 10V
80 @ 5mA, 5V
80 @ 5mA, 5V / 100 @ 10mA, 5V
80 @ 5mA, 5V / 120 @ 1mA, 6V
80, 20 @ 5mA, 10V
80, 30 @ 5mA, 10V
82 @ 100mA, 5V
82 @ 50mA, 5V / 100 @ 1mA, 5V
100 @ 10mA, 1V
100 @ 10mA, 5V
100 @ 1mA, 5V
100 @ 50mA, 5V
100 @ 5mA, 5V
120 @ 5mA, 10V / 80 @ 5mA, 10V
120 @ 5mA, 5V
140 @ 100mA, 2V / 30 @ 5mA, 5V
150 @ 100mA, 2V / 30 @ 5mA, 5V
150 @ 100mA, 2V / 60 @ 5mA, 5V
150 @ 100mA, 2V / 80 @ 5mA, 5V
150 @ 25mA, 5V
150 @ 2A, 2V / 30 @ 5mA, 5V
150 @ 2mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V
150 @ 500mA, 5V / 30 @ 20mA, 5V
150 @ 500mA, 5V / 30 @ 5mA, 5V
150 @ 500mA, 5V / 60 @ 5mA, 5V
150 @ 500mA, 5V / 80 @ 5mA, 5V
160 @ 5mA, 10V
200 @ 10mA, 2V / 30 @ 10mA, 5V
200 @ 10mA, 2V / 30 @ 20mA, 5V
200 @ 10mA, 2V / 30 @ 5mA, 5V
200 @ 10mA, 2V / 60 @ 5mA, 5V
200 @ 10mA, 2V / 80 @ 5mA, 5V
200 @ 1mA, 5V
200 @ 2mA, 5V / 35 @ 5mA, 10V
220 @ 100mA, 2V / 30 @ 10mA, 5V
220 @ 100mA, 2V / 30 @ 20mA, 5V
220 @ 100mA, 2V / 30 @ 5mA, 5V
220 @ 100mA, 2V / 60 @ 5mA, 5V
220 @ 500µA, 2V / 30 @ 10mA, 5V
270 @ 10mA, 2V / 20 @ 20mA, 5V
270 @ 10mA, 2V / 30 @ 5mA, 5V
270 @ 10mA, 2V / 68 @ 5mA, 5V
300 @ 100mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V
300 @ 100mA, 5V / 30 @ 5mA, 5V
300 @ 100mA, 5V / 60 @ 5mA, 5V
300 @ 100mA, 5V / 80 @ 5mA, 5V

50mV @ 2.5mA, 50mA
80mV @ 2.5mA, 50mA
100mV @ 250µA, 5mA
100mV @ 500µA, 10mA
100mV @ 50mA, 500mA / 150mV @ 500µA, 10mA
130mV @ 5mA, 100mA / 150mV @ 500µA, 10mA
135mV @ 50mA, 500mA / 150mV @ 500µA, 10mA
140mV @ 1mA, 100mA / 150mV @ 500µA, 10mA
140mV @ 50mA, 1A / 150mV @ 500µA, 10mA
150mV @ 10mA, 200mA / 150mV @ 500µA, 10mA
150mV @ 250µA, 5mA
150mV @ 500µA, 10mA
150mV @ 500µA, 10mA / 100mV @ 250µA, 5mA
150mV @ 500µA, 10mA / 200mV @ 5mA, 50mA
150mV @ 50mA, 500mA / 150mV @ 500µA, 10mA
180mV @ 50mA, 500mA / 150mV @ 500µA, 10mA
200mV @ 10mA, 200mA / 150mV @ 500µA, 10mA
200mV @ 50mA, 1A / 150mV @ 500µA, 10mA
250mV @ 10mA, 200mA / 300mV @ 500µA, 10mA
250mV @ 1mA, 10mA
250mV @ 1mA, 10mA / 250mV @ 300µA, 10mA
250mV @ 300µA, 10mA
250mV @ 300µA, 10mA / 1.2V @ 330µA, 50mA
250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 5mA, 100mA
250mV @ 300µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
250mV @ 500µA, 10mA
250mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 300µA, 10mA
250mV @ 5mA, 100mA
250mV @ 5mA, 10mA
255mV @ 100mA, 2A / 150mV @ 500µA, 10mA
300mV @ 100µA, 1mA
300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 300µA, 10mA
300mV @ 1mA, 10mA
300mV @ 1mA, 5V
300mV @ 2.5mA, 50mA
300mV @ 2.5mA, 50mA / 300mV @ 100µA, 1mA
300mV @ 2.5mA, 5mA
300mV @ 250µA, 2.5mA
300mV @ 250µA, 5mA
300mV @ 300µA, 10mA
300mV @ 500µA, 10mA
300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA
300mV @ 500µA, 10mA,
300mV @ 5mA, 100mA
300mV @ 5mA, 100mA / 300mV @ 1mA, 10mA
300mV @ 5mA, 100mA / 300mV @ 500µA, 10mA
300mV @ 5mA, 50mA
300mV @ 6mA, 300mA
500mV @ 5mA, 50mA / 250mV @ 5mA, 10mA

20mA
30mA
50mA
70mA
70mA, 100mA
80mA
100mA
100mA, 1A
100mA, 200mA
100mA, 500mA
150mA
200mA
500mA
500mA, 100mA
600mA
3A, 100mA

1nA, 1µA
100nA
100nA, 1µA
500nA
500nA, 1µA
500nA, 100µA
1µA
1µA, 10µA

80MHz
80MHz, 100MHz
80MHz, 150MHz
100MHz
130MHz
140MHz
150MHz
150MHz, 200MHz
150MHz, 80MHz
170MHz
185MHz
190MHz
200MHz
200MHz, 250MHz
250MHz
250MHz, 260MHz
250MHz, 320MHz
260MHz, 250MHz
280MHz
280MHz, 250MHz
300MHz

125mW
150mW
200mW
230mW
250mW
290mW
300mW
338mW
350mW
385mW
400мВт
408mW
420mW
500мВт
550mW, 200mW
600mW
700мВт

PNP - Pre-Biased
1 NPN Prebiased, 1 PNP
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
2 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
2 PNP - Pre-Biased (Dual)

EMT5
EMT6
Mini 5P
Mini 6P
S-mini
S-Mini 5P
S-Mini 6P
SC-70-5, SC-88A, SOT-323-5, SOT-353, 5-TSSOP
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
SC-74-5, SOT-753
SC-74-6
SC-74R
SOT-26
SOT-553, SOT-5
SOT-563
SOT-963
SS Mini 5P
SS Mini 6P
SS Mini-6 (SOT-666)
SSMini5-F2
SSMini5-F3
SSMini6-F1
SSMini6-F2
SSS Mini 6
8-SOIC (3.9мм ширина)

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 220 · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 200MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 470 · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 200MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 470 · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 200MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 470 · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 200MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 470 · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 200MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	DCX144EH-7	Diodes Inc	TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	DCX114EH-7	Diodes Inc	TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	DCX114TH-7	Diodes Inc	TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	DCX114YH-7	Diodes Inc	TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	DCX124EH-7	Diodes Inc	TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	DDA122TH-7	Diodes Inc	TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 220 · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 200MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	DDA142TH-7	Diodes Inc	TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 470 · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 200MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	DDA144EH-7	Diodes Inc	TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	DDA124EH-7	Diodes Inc	TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	DDC124EH-7	Diodes Inc	TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	DDC142JH-7	Diodes Inc	TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 470 · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 200MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	DDC143EH-7	Diodes Inc	TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	DDA123JH-7	Diodes Inc	TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	DDA114TH-7	Diodes Inc	TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	DDA143TH-7	Diodes Inc	TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	DDC142TH-7	Diodes Inc	TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 470 · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 200MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	DDC114TH-7	Diodes Inc	TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	DDC144EH-7	Diodes Inc	TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	DDC143TH-7	Diodes Inc	TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	DDA142JH-7	Diodes Inc	TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 470 · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 200MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	DDC114YH-7	Diodes Inc	TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	DDA114EH-7	Diodes Inc	TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	DDC114EH-7	Diodes Inc	TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	DDA114YH-7	Diodes Inc	TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	DDC123JH-7	Diodes Inc	TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT-563 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 250MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SOT-563	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (сборки, Pre-Biased)