Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (сборки, Pre-Biased)

Производитель





Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)












Сопротивление базы (Ом)





























Сопротивление эмитер - база (Ом)






















Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce





















































































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic

















































Ток коллектора (макс)















Ток отсечки коллетора (vfrc)







Модуляция частот




















Мощность макcимальная
















Тип транзистора





Корпус
























 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
UP0421600LUP0421600LPanasonic - SSGTRANS ARRAY NPN/NPN SS MINI-6P
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Мощность макcимальная: 125mW  ·  Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SS Mini 6P
от 22,43
до 64,04
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UP0431100LUP0431100LPanasonic - SSGTRANS ARRAY NPN/NPN SS MINI-6P
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Модуляция частот: 80MHz, 150MHz  ·  Мощность макcимальная: 125mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SS Mini 6P
от 19,72
до 59,70
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UP04311G0LUP04311G0LPanasonic - SSGTRANS ARRAY PNP/NPN W/RES SSMINI
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Мощность макcимальная: 125mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SSMini6-F2
от 19,72
до 59,70
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UP0431200LUP0431200LPanasonic - SSGTRANS ARRAY NPN/NPN SS MINI-6P
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 22K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Модуляция частот: 80MHz, 150MHz  ·  Мощность макcимальная: 125mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SS Mini 6P
от 19,72
до 59,70
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UP04312G0LUP04312G0LPanasonic - SSGTRANS ARRAY PNP/NPN W/RES SSMINI
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 22K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 150MHz, 80MHz  ·  Мощность макcимальная: 125mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SSMini6-F1
от 19,72
до 59,70
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UP0431300LUP0431300LPanasonic - SSGTRANS ARRAY NPN/PNP SSMINI-6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 47K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Модуляция частот: 80MHz, 150MHz  ·  Мощность макcимальная: 125mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SS Mini 6P
от 21,30
до 64,04
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UP0431400LUP0431400LPanasonic - SSGTRANS ARRAY NPN/PNP SSMINI-6P
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Модуляция частот: 80MHz, 150MHz  ·  Мощность макcимальная: 125mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SS Mini 6P
от 22,43
до 64,04
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UP04314G0LUP04314G0LPanasonic - SSGTRANS ARRAY PNP/NPN W/RES SSMINI
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.1K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 80MHz  ·  Мощность макcимальная: 125mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SSMini6-F2
от 17,79
до 18,91
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UP0431500LUP0431500LPanasonic - SSGTRANS ARRAY NPN/NPN SS MINI-6P
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Модуляция частот: 80MHz, 150MHz  ·  Мощность макcимальная: 125mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SS Mini 6P
от 19,72
до 59,70
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UP0431600LUP0431600LPanasonic - SSGTRANS ARRAY NPN/PNP SS MINI-6P
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Модуляция частот: 80MHz, 150MHz  ·  Мощность макcимальная: 125mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SS Mini 6P
от 19,97
до 21,17
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UP0431N00LUP0431N00LPanasonic - SSGTRANS ARRAY NPN/PNP W/RES SSMINI
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 470  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Модуляция частот: 80MHz, 150MHz  ·  Мощность макcимальная: 125mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SS Mini 6P
от 20,76
до 59,70
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UP0431NG0LUP0431NG0LPanasonic - SSGTRANS ARRAY PNP/NPN W/RES SSMINI
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 470  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Мощность макcимальная: 125mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SSMini6-F2
от 19,72
до 59,70
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UP0439000LUP0439000LPanasonic - SSGTRANS ARRAY NPN/NPN SS MINI-6P
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 47K, 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K, 2.1K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Модуляция частот: 80MHz, 150MHz  ·  Мощность макcимальная: 125mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SS Mini 6P
от 19,72
до 59,70
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
UP04390G0LUP04390G0LPanasonic - SSGTRANS ARRAY NPN/NPN SS MINI-6P
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 47K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Мощность макcимальная: 125mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SSMini6-F2
от 17,79
до 18,91
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
XN0111000LXN0111000LPanasonic - SSGTRANS ARRAY PNP/PNP W/RES MINI5P
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Модуляция частот: 80MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: Mini 5P
от 12,80
до 45,59
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
XN0111100LXN0111100LPanasonic - SSGTRANS ARRAY PNP/PNP W/RES MINI5P
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Модуляция частот: 80MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: Mini 5P
от 12,80
до 45,59
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
XN0111200LXN0111200LPanasonic - SSGTRANS ARRAY PNP/PNP W/RES MINI5P
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 22K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Модуляция частот: 80MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: Mini 5P
от 9,01
до 12,05
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
XN0111300LXN0111300LPanasonic - SSGTRANS ARRAY PNP/PNP W/RES MINI5P
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 47K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Модуляция частот: 80MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: Mini 5P
от 12,80
до 45,59
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
XN0111400LXN0111400LPanasonic - SSGTRANS ARRAY PNP/PNP W/RES MINI5P
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.1K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Модуляция частот: 80MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: Mini 5P
от 12,80
до 45,59
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
XN0111500LXN0111500LPanasonic - SSGTRANS ARRAY PNP/PNP W/RES MINI5P
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Модуляция частот: 80MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: Mini 5P
от 12,80
до 45,59
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
XN0111600LXN0111600LPanasonic - SSGTRANS ARRAY PNP/PNP W/RES MINI5P
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Модуляция частот: 80MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: Mini 5P
от 9,01
до 12,05
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
XN0111900LXN0111900LPanasonic - SSGTRANS ARRAY PNP/PNP W/RES MINI5P
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 1K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 100  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Модуляция частот: 80MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: Mini 5P
от 12,80
до 45,59
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
XN0111F00LXN0111F00LPanasonic - SSGTRANS ARRAY PNP/PNP W/RES MINI5P
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 1K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Модуляция частот: 80MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: Mini 5P
от 12,80
до 45,59
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
XN0111H00LXN0111H00LPanasonic - SSGTRANS ARRAY PNP/PNP W/RES MINI5P
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 2.2K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 1K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Модуляция частот: 80MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: Mini 5P
от 9,01
до 12,05
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
XN0111M00LXN0111M00LPanasonic - SSGTRANS ARRAY PNP/PNP W/RES MINI-5
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 2.2K, 2.2K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K, 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA  ·  Модуляция частот: 80MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: Mini 5P
от 9,01
до 11,83
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 27282930313233 ... 35  Ctrl →

© 2006 — 2019 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте