Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K, 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K, 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30, 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 80MHz, 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SS Mini 5P
до 0,00
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K, 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K, 2.1K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 80MHz, 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SS Mini 5P
до 0,00
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz, 80MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SS Mini 5P
до 0,00
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K, 510 · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K, 5.1K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80, 20 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 80MHz, 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SS Mini 5P
до 0,00
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K, 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K, 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35, 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 80MHz, 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SS Mini 5P
до 0,00
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 30V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K, 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K, 2.1K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35, 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 80MHz, 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SS Mini 5P
до 0,00
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V, 30V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K, 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA / 1.2V @ 330µA, 50mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 150MHz, 80MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SSMini5-F3
до 0,00
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 80MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SS Mini 6P
до 0,00
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 80MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SSMini6-F1
до 0,00
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 80MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SS Mini 6P
до 0,00
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 80MHz · Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SSMini6-F2
до 0,00
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 80MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SS Mini 6P
до 0,00
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 80MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SSMini6-F2
до 0,00
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K, 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K, 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 80MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SS Mini 6P
до 0,00
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 80MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SSMini6-F2
до 0,00
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SS Mini 6P
до 0,00
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SSMini6-F1
до 0,00
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SS Mini 6P
до 0,00
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SSMini6-F2
до 0,00
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SS Mini 6P
до 0,00
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SSMini6-F2
до 0,00
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SS Mini 6P
до 0,00
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SSMini6-F2
до 0,00
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 500nA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SS Mini 6P
до 0,00
Искать в поставщиках
Купить в магазине
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 125mW · Тип транзистора: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SSMini6-F2
до 0,00
Искать в поставщиках
Купить в магазине