Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (сборки, Pre-Biased)

Производитель





Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)












Сопротивление базы (Ом)





























Сопротивление эмитер - база (Ом)






















Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce





















































































Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic

















































Ток коллектора (макс)















Ток отсечки коллетора (vfrc)







Модуляция частот




















Мощность макcимальная
















Тип транзистора





Корпус
























 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
NSB4904DW1T1GON SemiconductorIC TRANS DUAL BIAS SC88-6
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 47K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Мощность макcимальная: 385mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PEMF21,115PEMF21,115NXP SemiconductorsLOADSWITCH PNP 12V 500MA SOT666
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12V, 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V / 30 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA / 300mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SS Mini-6 (SOT-666)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PBLS1501Y,115PBLS1501Y,115NXP SemiconductorsLOADSWITCH PNP 15V 500MA SOT363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V, 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 2.2K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V / 30 @ 20mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 10mA, 200mA / 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Модуляция частот: 280MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PBLS1504Y,115PBLS1504Y,115NXP SemiconductorsLOADSWITCH PNP 15V 500MA SOT363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V, 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 22K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V / 60 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 10mA, 200mA / 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Модуляция частот: 280MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PBLS1502Y,115PBLS1502Y,115NXP SemiconductorsLOADSWITCH PNP 15V 500MA SOT363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V, 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30, 200 @ 10mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Модуляция частот: 280MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PBLS1503Y,115PBLS1503Y,115NXP SemiconductorsLOADSWITCH PNP 15V 500MA SOT363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V, 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V / 30 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 10mA, 200mA / 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Модуляция частот: 280MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PBLS1503V,115PBLS1503V,115NXP SemiconductorsLOADSWITCH PNP 15V 500MA SOT666
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V, 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V / 30 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 10mA, 200mA / 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Модуляция частот: 280MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SS Mini-6 (SOT-666)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PBLS1502V,115PBLS1502V,115NXP SemiconductorsLOADSWITCH PNP 15V 500MA SOT666
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V, 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V / 30 @ 10mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 10mA, 200mA / 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Модуляция частот: 280MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SS Mini-6 (SOT-666)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PBLS1504V,115PBLS1504V,115NXP SemiconductorsLOADSWITCH PNP 15V 500MA SOT666
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V, 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 22K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V / 60 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 10mA, 200mA / 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Модуляция частот: 280MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SS Mini-6 (SOT-666)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PBLS1501V,115PBLS1501V,115NXP SemiconductorsLOADSWITCH PNP 15V 500MA SOT666
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V, 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 2.2K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V / 30 @ 20mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 10mA, 200mA / 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 500mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Мощность макcимальная: 200mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SS Mini-6 (SOT-666)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PBLS2022D,115NXP SemiconductorsLOADSWITCH PNP 20V 1.8A SC-74
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20V, 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K  ·  Тип транзистора: 1 NPN Prebiased, 1 PNP  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-74-6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PBLS2021D,115NXP SemiconductorsLOADSWITCH PNP 20V 1.8A SC-74
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20V, 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 2.2K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K  ·  Тип транзистора: 1 NPN Prebiased, 1 PNP  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-74-6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PBLS2001D,115PBLS2001D,115NXP SemiconductorsLOADSWITCH PNP 20V 1A SOT457
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20V, 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 2.2K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 100mA, 2V / 30 @ 20mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 50mA, 500mA / 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA, 1A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Модуляция частот: 185MHz  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-74-6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PBLS2002D,115PBLS2002D,115NXP SemiconductorsLOADSWITCH PNP 20V 1A SOT457
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20V, 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 100mA, 2V / 30 @ 10mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 1A / 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA, 1A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Модуляция частот: 185MHz  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-74-6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PBLS2003D,115PBLS2003D,115NXP SemiconductorsLOADSWITCH PNP 20V 1A SOT457
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20V, 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 100mA, 2V / 30 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 50mA, 500mA / 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA, 1A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Модуляция частот: 185MHz  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-74-6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PBLS2004D,115PBLS2004D,115NXP SemiconductorsLOADSWITCH PNP 20V 1A SOT457
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20V, 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 22K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 100mA, 2V / 60 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 50mA, 500mA / 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA, 1A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA  ·  Модуляция частот: 185MHz  ·  Мощность макcимальная: 400мВт  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-74-6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PBLS2002S,115PBLS2002S,115NXP SemiconductorsLOADSWITCH PNP 20V 3A 8-SOIC
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20V, 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500µA, 2V / 30 @ 10mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 255mV @ 100mA, 2A / 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 3A, 100mA  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Мощность макcимальная: 550mW, 200mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN Prebiased, 1 PNP  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PBLS2003S,115PBLS2003S,115NXP SemiconductorsLOADSWITCH PNP 20V 3A 8-SOIC
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20V, 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V / 30 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 255mV @ 100mA, 2A / 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 3A, 100mA  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Мощность макcимальная: 550mW, 200mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN Prebiased, 1 PNP  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PBLS2001S,115PBLS2001S,115NXP SemiconductorsLOADSWITCH PNP 20V 3A 8-SOIC
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20V, 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 2.2K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 2 / 30 @ 20mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 50mA, 1A / 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 3A, 100mA  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Мощность макcимальная: 700мВт  ·  Тип транзистора: 1 NPN Prebiased, 1 PNP  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PBLS4004D,115PBLS4004D,115NXP SemiconductorsLOADSWITCH PNP 40V 1A SOT457
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40V, 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 22K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V / 60 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 1mA, 100mA / 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA, 1A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-74-6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PBLS4003D,115PBLS4003D,115NXP SemiconductorsLOADSWITCH PNP 40V 1A SOT457
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40V, 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 10K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V / 30 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 1mA, 100mA / 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA, 1A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-74-6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PBLS4002D,115PBLS4002D,115NXP SemiconductorsLOADSWITCH PNP 40V 1A SOT457
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40V, 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 4.7K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 1mA, 100mA / 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA, 1A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1nA, 1µA  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-74-6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PBLS4001D,115PBLS4001D,115NXP SemiconductorsLOADSWITCH PNP 40V 1A SOT457
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40V, 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 2.2K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA, 1A  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-74-6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PBLS4005D,115PBLS4005D,115NXP SemiconductorsLOADSWITCH PNP 40V 1A SOT457
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40V, 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 47K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V / 80 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 1mA, 100mA / 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA, 1A  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Модуляция частот: 150MHz  ·  Мощность макcимальная: 600mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-74-6
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
PBLS4005Y,115PBLS4005Y,115NXP SemiconductorsLOADSWITCH PNP 40V 500MA SOT363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40V, 50V  ·  Сопротивление базы (Ом): 47K  ·  Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V / 80 @ 5mA, 5V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 5mA, 100mA / 150mV @ 500µA, 10mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA  ·  Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA  ·  Модуляция частот: 300MHz  ·  Мощность макcимальная: 300mW  ·  Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  ·  Mounting Type: Surface Mount  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  предыдущая12345678 ... 35  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте