Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
NSB4904DW1T1G | ON Semiconductor | IC TRANS DUAL BIAS SC88-6 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Мощность макcимальная: 385mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PEMF21,115 | NXP Semiconductors | LOADSWITCH PNP 12V 500MA SOT666 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V / 30 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA / 300mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SS Mini-6 (SOT-666) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PBLS1501Y,115 | NXP Semiconductors | LOADSWITCH PNP 15V 500MA SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V / 30 @ 20mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 10mA, 200mA / 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Модуляция частот: 280MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PBLS1504Y,115 | NXP Semiconductors | LOADSWITCH PNP 15V 500MA SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V / 60 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 10mA, 200mA / 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Модуляция частот: 280MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PBLS1502Y,115 | NXP Semiconductors | LOADSWITCH PNP 15V 500MA SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30, 200 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Модуляция частот: 280MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PBLS1503Y,115 | NXP Semiconductors | LOADSWITCH PNP 15V 500MA SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V / 30 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 10mA, 200mA / 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Модуляция частот: 280MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PBLS1503V,115 | NXP Semiconductors | LOADSWITCH PNP 15V 500MA SOT666 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V / 30 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 10mA, 200mA / 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Модуляция частот: 280MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SS Mini-6 (SOT-666) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PBLS1502V,115 | NXP Semiconductors | LOADSWITCH PNP 15V 500MA SOT666 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V / 30 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 10mA, 200mA / 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Модуляция частот: 280MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SS Mini-6 (SOT-666) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PBLS1504V,115 | NXP Semiconductors | LOADSWITCH PNP 15V 500MA SOT666 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V / 60 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 10mA, 200mA / 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Модуляция частот: 280MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SS Mini-6 (SOT-666) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PBLS1501V,115 | NXP Semiconductors | LOADSWITCH PNP 15V 500MA SOT666 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V / 30 @ 20mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 10mA, 200mA / 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SS Mini-6 (SOT-666) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PBLS2022D,115 | NXP Semiconductors | LOADSWITCH PNP 20V 1.8A SC-74 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K · Тип транзистора: 1 NPN Prebiased, 1 PNP · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-74-6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PBLS2021D,115 | NXP Semiconductors | LOADSWITCH PNP 20V 1.8A SC-74 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K · Тип транзистора: 1 NPN Prebiased, 1 PNP · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-74-6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PBLS2001D,115 | NXP Semiconductors | LOADSWITCH PNP 20V 1A SOT457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 100mA, 2V / 30 @ 20mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 50mA, 500mA / 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA, 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Модуляция частот: 185MHz · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-74-6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PBLS2002D,115 | NXP Semiconductors | LOADSWITCH PNP 20V 1A SOT457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 100mA, 2V / 30 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 1A / 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA, 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Модуляция частот: 185MHz · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-74-6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PBLS2003D,115 | NXP Semiconductors | LOADSWITCH PNP 20V 1A SOT457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 100mA, 2V / 30 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 50mA, 500mA / 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA, 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Модуляция частот: 185MHz · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-74-6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PBLS2004D,115 | NXP Semiconductors | LOADSWITCH PNP 20V 1A SOT457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 100mA, 2V / 60 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 50mA, 500mA / 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA, 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 100nA · Модуляция частот: 185MHz · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-74-6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PBLS2002S,115 | NXP Semiconductors | LOADSWITCH PNP 20V 3A 8-SOIC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 500µA, 2V / 30 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 255mV @ 100mA, 2A / 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 3A, 100mA · Модуляция частот: 100MHz · Мощность макcимальная: 550mW, 200mW · Тип транзистора: 1 NPN Prebiased, 1 PNP · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PBLS2003S,115 | NXP Semiconductors | LOADSWITCH PNP 20V 3A 8-SOIC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V / 30 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 255mV @ 100mA, 2A / 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 3A, 100mA · Модуляция частот: 100MHz · Мощность макcимальная: 550mW, 200mW · Тип транзистора: 1 NPN Prebiased, 1 PNP · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PBLS2001S,115 | NXP Semiconductors | LOADSWITCH PNP 20V 3A 8-SOIC Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 20V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 2 / 30 @ 20mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 50mA, 1A / 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 3A, 100mA · Модуляция частот: 100MHz · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип транзистора: 1 NPN Prebiased, 1 PNP · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PBLS4004D,115 | NXP Semiconductors | LOADSWITCH PNP 40V 1A SOT457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 22K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 22K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V / 60 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 1mA, 100mA / 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA, 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 600mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-74-6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PBLS4003D,115 | NXP Semiconductors | LOADSWITCH PNP 40V 1A SOT457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 10K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 10K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V / 30 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 1mA, 100mA / 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA, 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 600mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-74-6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PBLS4002D,115 | NXP Semiconductors | LOADSWITCH PNP 40V 1A SOT457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 4.7K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 4.7K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 1mA, 100mA / 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA, 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1nA, 1µA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 600mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-74-6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PBLS4001D,115 | NXP Semiconductors | LOADSWITCH PNP 40V 1A SOT457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 2.2K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 2.2K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA, 1A · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 600mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-74-6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PBLS4005D,115 | NXP Semiconductors | LOADSWITCH PNP 40V 1A SOT457 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V / 80 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 1mA, 100mA / 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA, 1A · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Модуляция частот: 150MHz · Мощность макcимальная: 600mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-74-6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PBLS4005Y,115 | NXP Semiconductors | LOADSWITCH PNP 40V 500MA SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 40V, 50V · Сопротивление базы (Ом): 47K · Сопротивление эмитер - база (Ом): 47K · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V / 80 @ 5mA, 5V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 5mA, 100mA / 150mV @ 500µA, 10mA · Ток коллектора (макс): 100mA, 500mA · Ток отсечки коллетора (vfrc): 1µA · Модуляция частот: 300MHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) · Mounting Type: Surface Mount · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |