Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (сборки)

 

BC847BDW1T3 — TRANS NPN DUAL 45V 100MA SOT-363

ПроизводительON Semiconductor
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)45V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic600mV @ 5mA, 100mA
Ток коллектора (макс)100mA
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce200 @ 2mA, 5V
Мощность макcимальная250mW
Модуляция частот100MHz
Тип транзистора2 NPN (Dual)
Тип монтажаПоверхностный монтаж
КорпусSC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
BC847BDW1T1GBC847BDW1T1GON SemiconductorTRANS NPN DUAL 45V 100MA SOT-363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 380mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
BC847BPDW1T1GBC847BPDW1T1GON SemiconductorTRANS NPN/PNP DUAL 45V SOT-363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 380mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «BC847BDW1T3» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте