BC 846PN E6327 | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Биполярные транзисторы (сборки) (Transistors (BJT) - Arrays) | Каталог компонентов

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	BC 856S E6433	Infineon Technologies	TRANSISTOR PNP AF 65V SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 65V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 250mW · Модуляция частот: 250MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363		Доп. информация Искать в поставщиках
	BC 856S E6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR PNP AF 65V SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 65V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 250mW · Модуляция частот: 250MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BC 847PN E6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR NPN/PNP AF 45V SOT363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 250mW · Модуляция частот: 250MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BC 847S E6433	Infineon Technologies	TRANSISTOR NPN AF 45V SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 250mW · Модуляция частот: 250MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BC 847PN E6433	Infineon Technologies	TRANSISTOR NPN AF 45V SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 250mW · Модуляция частот: 250MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	BC 847PN B6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR NPN AF 45V SOT-363 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 250mW · Модуляция частот: 250MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363		Доп. информация Искать в поставщиках

BC 856S E6327

Infineon Technologies

TRANSISTOR PNP AF 65V SOT-363

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 65V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 250mW · Модуляция частот: 250MHz · Тип транзистора: 2 PNP (Dual) · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363

от 0,00

Доп. информация
Искать в поставщиках

BC 847S E6433

Infineon Technologies

TRANSISTOR NPN AF 45V SOT-363

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 250mW · Модуляция частот: 250MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363

от 0,00

Доп. информация
Искать в поставщиках

BC 847PN B6327

Infineon Technologies

TRANSISTOR NPN AF 45V SOT-363

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 45V · Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA · Ток коллектора (макс): 100mA · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V · Мощность макcимальная: 250mW · Модуляция частот: 250MHz · Тип транзистора: NPN, PNP · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363

Доп. информация
Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Биполярные транзисторы (сборки)

BC 846PN E6327 — TRANSISTOR NPN AF 65V SOT-363

Схожие по характеристикам