Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  Биполярные транзисторы (сборки)
 
BC846BDW1T1G

- Габаритный чертеж

BC846BDW1T1G — TRANS NPN DUAL 65V 100MA SOT-363

ПроизводительON Semiconductor
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)65V
Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic250mV @ 0.5mA, 10mA
Ток коллектора (макс)100mA
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce150 @ 10µA, 5V
Мощность макcимальная380mW
Модуляция частот100MHz
Тип транзистора2 NPN (Dual)
Тип монтажаПоверхностный монтаж
КорпусSC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Встречается под наим.BC846BDW1T1GOSCT
Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
BC846BPDW1T1GBC846BPDW1T1GON SemiconductorTRANS NPN DUAL 65V SOT-363
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 65V  ·  Напряжение насыщения (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA  ·  Ток коллектора (макс): 100mA  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10µA, 5V  ·  Мощность макcимальная: 380mW  ·  Модуляция частот: 100MHz  ·  Тип транзистора: 2 NPN (Dual)  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
от 0,00		Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «BC846BDW1T1G» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи		 Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов Регистрация • Реклама на сайте