Дискретные полупроводники · Высокочастотные транзисторы (BJT)

Производитель	NXP Semiconductors
Вредные вещества	RoHS Без свинца

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	15V
Модуляция частот	5GHz
Усиление	13dB
Мощность макcимальная	400мВт
Тип транзистора	NPN
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce	50 @ 35mA, 8V
Ток коллектора (макс)	200mA
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
Встречается под наим.	BFG590 T/R, BFG590 T/R-ND

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	BFG590/X,215	NXP Semiconductors	TRANS NPN 15V 200MA SOT143B Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5GHz · Усиление: 13dB · Мощность макcимальная: 400мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 35mA, 8V · Ток коллектора (макс): 200mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов