Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные транзисторы (BJT)
 
BFG540W,115

BFG540W,115 — TRANS NPN 8V 120MA SOT343N

ПроизводительNXP Semiconductors
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)15V
Модуляция частот9GHz
Коэфицент шума (dB Typ @ f)2.1dB @ 2GHz
Усиление16dB
Мощность макcимальная500мВт
Тип транзистораNPN
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 40mA, 8V
Ток коллектора (макс)120mA
Тип монтажаПоверхностный монтаж
КорпусSOT-343N
Compression Point (P1dB)21dBm
Встречается под наим.BFG540W T/R, BFG540W T/R-ND
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
BFG540W/X,115BFG540W/X,115NXP SemiconductorsTRANS WIDEBAND 9GHZ SOT-343 15V
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V  ·  Модуляция частот: 9GHz  ·  Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2.1dB @ 2GHz  ·  Усиление: 16dB  ·  Мощность макcимальная: 500мВт  ·  Тип транзистора: NPN  ·  Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 40mA, 8V  ·  Ток коллектора (макс): 120mA  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-343N  ·  Compression Point (P1dB): 21dBm
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «BFG540W,115» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи		 Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов Регистрация • Реклама на сайте