BFG505/X,215 | Дискретные полупроводники (Discrete Semiconductor Products) | Высокочастотные транзисторы (BJT) (RF Transistors (BJT)) | Каталог компонентов

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz · Усиление: 17dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V · Ток коллектора (макс): 18mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Compression Point (P1dB): 4dBm

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	BFG505,215	NXP Semiconductors	TRANS NPN 6V 18MA SOT343N Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz · Усиление: 16dB ~ 17dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V · Ток коллектора (макс): 18mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-143, SOT-143B, TO-253AA	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	BFR505,215	NXP Semiconductors	TRANS NPN 15V 9GHZ SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz · Усиление: 17dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V · Ток коллектора (макс): 18mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Compression Point (P1dB): 4dBm	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Дискретные полупроводники · Высокочастотные транзисторы (BJT)

BFG505/X,215 — TRANS NPN 6V 18MA SOT343N

Аналогичные по характеристикам

Схожие по характеристикам