Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные транзисторы (BJT)

BFG35,115 — TRANS NPN 10V 150MA SOT223

Производитель	NXP Semiconductors
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	18В
Модуляция частот	4GHz
Мощность макcимальная	1Вт
Тип транзистора	NPN
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce	25 @ 100mA, 10V
Ток коллектора (макс)	150mA
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
Встречается под наим.	BFG35 T/R, BFG35 T/R-ND