Дискретные полупроводники · Высокочастотные транзисторы (BJT)

Производитель	Panasonic - SSG
Вредные вещества	RoHS Без свинца

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	8V
Модуляция частот	1.1GHz
Мощность макcимальная	150mW
Тип транзистора	NPN
Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 2mA, 4V
Ток коллектора (макс)	50mA
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	S-Mini 3P
Встречается под наим.	2SC5632G0LCT

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	2SC563200L	Panasonic - SSG	TRANS NPN 8VCEO 50MA S-MINI 3P Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 8V · Модуляция частот: 1.1GHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2mA, 4V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: S-Mini 3P	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов