Высокочастотные транзисторы (BJT) | Дискретные полупроводники

Avago Technologies US Inc.
Diodes Inc
Diodes/Zetex
Fairchild Semiconductor
Freescale Semiconductor
Infineon Technologies
Intersil
Microsemi-PPG
National Semiconductor
NEC
NXP Semiconductors
ON Semiconductor
Panasonic - SSG
Renesas Technology America
Rohm Semiconductor
SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
STMicroelectronics

2.3V
2.5V
3V
3V, 3V
3V, 5.5V
3.2V
3.3V
3.5V
4V
4.3V
4.5V
4.5V, 10V
4.5V, 6V
5V
5.5V
6V
6V, 5.5V
6.5V
8V
9V
9.2V
9.5V
10V
12В
12V, 15V
15V
16V
18В
20В
25V
28V
30В
40В
50V
55V
60V
70V
75V
125V
200В
400В

100MHz
150MHz
230MHz
250MHz
300MHz
320MHz
400MHz
450MHz
450MHz ~ 512MHz
470MHz
500MHz
600MHz
650MHz
700MHz
750MHz
800MHz
900MHz
1GHz
1.1GHz
1.15GHz
1.2GHz
1.215GHz
1.3GHz
1.4GHz
1.5GHz
1.6GHz
1.9GHz
2GHz
2.1GHz
2.2GHz
2.3GHz
2.4GHz
2.5GHz
2.8GHz
3GHz
3.1GHz
3.5GHz
4GHz
4.5GHz
5GHz
5.5GHz
5.8GHz
6GHz
6.5GHz
7GHz
7.5GHz
8GHz
8.5GHz
9GHz
9GHz, 11GHz
9.5GHz
10GHz
11GHz
12GHz
12GHz, 6.5GHz
13GHz
14GHz
14.5GHz
15GHz
15.5GHz
16GHz
17GHz
18GHz
20GHz
21GHz
22GHz
22GHz, 14GHz
24GHz
25GHz
30GHz
37GHz
38GHz
39GHz
40GHz
42GHz
45GHz
65GHz
68GHz

0.4dB ~ 0.67dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz
0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz
0.6dB ~ 0.85dB @ 2GHz
0.6dB ~ 0.95dB @ 2.4GHz ~ 5.2GHz
0.6dB ~ 1.1dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
0.8dB ~ 1.1dB @ 2GHz
0.8dB ~ 1.5dB @ 2GHz
0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
0.9dB ~ 1.1dB @ 1.9GHz
0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz
0.9dB ~ 1.2dB @ 2GHz
0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz
0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz
0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz
0.95dB @ 1.8GHz
1dB @ 1.8GHz
1dB @ 2GHz
1dB @ 800MHz
1dB @ 900MHz
1dB ~ 1.25dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
1dB ~ 1.3dB @ 900MHz
1dB ~ 1.5dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
1dB ~ 1.5dB @ 2GHz
1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz
1dB ~ 1.7dB @ 800MHz
1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz
1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz
1dB ~ 2.5dB @ 1GHz
1.1dB @ 1.8GHz
1.1dB @ 2GHz
1.1dB ~ 1.35dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz
1.1dB ~ 1.5dB @ 2GHz
1.1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
1.1dB ~ 1.6dB @ 900MHz
1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz
1.15dB @ 1.8GHz
1.2dB @ 2GHz
1.2dB ~ 1.5dB @ 2GHz
1.2dB ~ 1.6dB @ 900MHz
1.2dB ~ 1.7dB @ 2GHz
1.2dB ~ 1.7dB @ 900MHz
1.2dB ~ 1.8dB @ 5.8GHz
1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz
1.2dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
1.2dB ~ 2.5dB @ 1GHz
1.2dB ~ 2dB @ 1GHz
1.2dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
1.25dB @ 1.8GHz
1.3dB @ 1GHz
1.3dB @ 800MHz
1.3dB ~ 1.7dB @ 1GHz
1.3dB ~ 1.7dB @ 900MHz
1.3dB ~ 1.8dB @ 1GHz ~ 2GHz
1.3dB ~ 1.8dB @ 900MHz
1.3dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
1.3dB ~ 2.1dB @ 900MHz ~ 2GHz
1.3dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz
1.3dB ~ 2.5dB @ 800MHz
1.3dB ~ 2dB @ 1GHz ~ 2GHz
1.3dB ~ 2dB @ 2GHz
1.3dB ~ 2dB @ 800MHz
1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz
1.4dB @ 1GHz
1.4dB ~ 1.7dB @ 1GHz
1.4dB ~ 1.8dB @ 1GHz
1.4dB ~ 1.8dB @ 1GHz ~ 2GHz
1.4dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz
1.4dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
1.4dB ~ 2.5dB @ 1GHz
1.4dB ~ 2.5dB @ 2GHz
1.4dB ~ 2.7dB @ 1GHz
1.4dB ~ 2dB @ 1GHz
1.4dB ~ 2dB @ 1GHz ~ 2GHz
1.4dB ~ 2dB @ 2GHz
1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz
1.45dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
1.5dB @ 1GHz
1.5dB @ 2GHz
1.5dB @ 450MHz
1.5dB ~ 1.6dB @ 1GHz ~ 2GHz
1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz
1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz
1.5dB ~ 2.5dB @ 1GHz
1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz
1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
1.5dB ~ 2.9dB @ 1GHz ~ 4GHz
1.5dB ~ 2dB @ 2GHz
1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz
1.5dB ~ 3.5dB @ 500MHz
1.5dB ~ 3dB
1.6dB @ 2GHz
1.6dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 4GHz
1.6dB ~ 2.1dB @ 900MHz
1.7dB @ 1GHz
1.7dB @ 800MHz
1.7dB @ 900MHz
1.7dB ~ 1.9dB @ 1GHz ~ 2GHz
1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz
1.7dB ~ 2.6dB @ 2GHz
1.8dB @ 2GHz
1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz
1.8dB ~ 2dB @ 1GHz
1.8dB ~ 3dB @ 2GHz
1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz
1.9dB @ 1GHz
1.9dB @ 2GHz
1.9dB ~ 2.4dB @ 900MHz
1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz
1.9dB ~ 3.2dB @ 2GHz
1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz
1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz
2dB @ 1GHz
2dB @ 900MHz
2dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz
2dB ~ 3dB
2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz
2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
2.1dB @ 1GHz
2.1dB @ 2GHz
2.2dB @ 100KHz
2.4dB @ 1GHz
2.4dB @ 500MHz
2.4dB ~ 3dB @ 500MHz
2.5dB @ 400MHz
2.5dB @ 500MHz
2.5dB @ 800MHz
2.7dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz
2.8dB @ 5MHz
3dB @ 100MHz
3dB @ 200MHz
3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
3dB ~ 5dB @ 500MHz
3dB ~ 5dB @ 800MHz
3.3dB @ 1.8GHz
3.3dB @ 100MHz
3.3dB @ 500MHz
3.5dB @ 1GHz
3.5dB @ 800MHz
3.5dB ~ 5dB @ 800MHz
3.75dB @ 500MHz
3.8dB @ 500MHz
4.5dB @ 200MHz
4.5dB @ 500MHz
5dB @ 200MHz
5dB @ 500MHz
6dB @ 200MHz
6dB @ 60MHz
6.5dB @ 60MHz

1.5dB
1.95dB
2.5dB ~ 3.5dB
3dB ~ 4dB
4.5dB ~ 5.5dB
5.5dB ~ 7.5dB
5.8dB
6dB
6.5dB
6.5dB ~ 8dB
7dB
7dB ~ 10dB
7dB ~ 8.5dB
7dB ~ 9dB
7.4dB
7.5dB
7.5dB ~ 10dB
7.5dB ~ 9dB
7.6dB
8dB
8dB ~ 10dB
8dB ~ 11dB
8dB ~ 9.5dB
8dB ~ 9dB
8.5dB
8.5dB ~ 10dB
9dB
9dB ~ 11dB
9dB ~ 12dB
9.5dB ~ 10.5dB
9.5dB ~ 11.5dB
10dB
10dB ~ 12dB
11dB
11dB ~ 12.5dB
11dB ~ 13dB
11dB ~ 14dB
11dB ~ 4.2dB
11dB ~ 6.5dB
11.5dB
11.5dB ~ 13.5dB
11.5dB ~ 13dB
11.5dB ~ 7dB
12dB
12dB ~ 13dB
12dB ~ 6dB
12dB ~ 8dB
12.5dB
12.5dB ~ 14.5dB
12.5dB ~ 14dB
12.5dB ~ 5.3dB
12.5dB ~ 6.5dB
12.5dB ~ 8.5dB
13dB
13dB ~ 14.5dB
13dB ~ 14dB
13dB ~ 15.5dB
13dB ~ 7.5dB
13dB ~ 7dB
13dB ~ 8.5dB
13dB ~ 9dB
13.5dB
13.5dB ~ 10dB
13.5dB ~ 15dB
13.5dB ~ 8.5dB
13.5dB ~ 9.5dB
13.5dB ~ 9.6dB
13.5dB ~ 9dB
14dB
14dB ~ 10.5dB
14dB ~ 10dB
14dB ~ 16dB
14dB ~ 26dB
14dB ~ 8dB
14.5dB ~ 10dB
14.5dB ~ 9.5dB
14.5dB ~ 9dB
15dB
15dB ~ 10dB
15dB ~ 16dB
15dB ~ 17.5dB
15dB ~ 17dB
15dB ~ 18dB
15dB ~ 9dB
15.5dB
15.5dB ~ 10.5dB
15.5dB ~ 11dB
15.5dB ~ 9dB
16dB
16dB ~ 10.5dB
16dB ~ 10dB
16dB ~ 11.5dB
16dB ~ 12dB
16dB ~ 17dB
16.5dB
16.5dB ~ 10.5dB
17dB
17dB ~ 10dB
17dB ~ 11.5dB
17dB ~ 8dB
17dB ~ 9dB
17.4dB
17.5dB
17.5dB ~ 12.4dB
18dB
18dB ~ 12dB
18dB ~ 9dB
18.3dB
18.5dB
18.5dB ~ 10dB
19dB
19dB ~ 12.5dB
19.5dB
20dB
20.5dB ~ 13.5dB
21dB
21dB ~ 17.5dB
21.5dB
21.5dB ~ 10.5dB
21.5dB ~ 10.5dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
21.5dB ~ 11dB
22dB
22.5dB
23dB
23.5dB
24dB
24.5dB
25dB
27dB
27dB ~ 30dB
27.5dB

16mW
30mW
32mW
39mW
40mW
45mW
54mW
55mW
60mW
80mW
85mW
90mW
90mW, 105mW
90mW, 190mW
100mW
105mW
115mW
120mW
125mW
130mW
135mW
140mW
150mW
160mW
175mW
180mW
180mW, 190mW
185mW
188mW
190mW
200mW
200mW, 210mW
200mW, 250mW
205mW
210mW
210mW, 380mW
225mW
250mW
270mW
280mW
300mW
330mW
350mW
360mW
365mW
380mW
400мВт
410mW
450мВт
500мВт
580mW
600mW
625mW
640mW
650мВт
700мВт
735mW
750мВт
800мВт
900мВт
1Вт
1.2W
1.5Вт
1.7Вт
1.9Вт
2Вт
2.1W
2.25W
2.5Вт
3Вт
3.5W
34Вт
40Вт
58W
70Вт
80Вт
117Вт
145Вт
150Вт
183W
200Вт
230W
233W
270Вт
290Вт
300Вт
318W
330W
500W
570W
690W
960W

NPN
NPN, PNP
PNP
2 NPN (Dual)
2 PNP (Dual)
3 NPN + 2 PNP
5 NPN
5 PNP

1 @ 20mA, 6V
10 @ 1A, 5V
10 @ 5A, 5V
15 @ 10A, 6V
15 @ 20mA, 2V
15 @ 50mA, 5V
15 @ 50mA, 6V
15 @ 5mA, 10V
16 @ 350mA, 5V
18 @ 1.4A, 6V
20 @ 10mA, 2V
20 @ 110mA, 8V
20 @ 14mA, 10V
20 @ 15mA, 10V
20 @ 1A, 5V
20 @ 1mA, 1V
20 @ 1mA, 3.5V
20 @ 20mA, 8V
20 @ 250mA, 5V
20 @ 25mA, 1V
20 @ 30mA, 5V
20 @ 3mA, 1V
20 @ 5A, 5V
20 @ 70mA, 10V
20 @ 8mA, 10V
23 @ 10A, 6V
25 @ 100mA, 10V
25 @ 100mA, 4.8V
25 @ 150mA, 5V
25 @ 2mA, 1V
25 @ 300mA, 5V
25 @ 3mA, 10V
25 @ 3mA, 1V
25 @ 50mA, 5V
25 @ 50mA, 9V
25 @ 5mA, 10V
25 @ 70mA, 10V
30 @ 100mA, 3.6V
30 @ 10mA
30 @ 10mA, 8V
30 @ 1A, 5V
30 @ 250mA, 5V
30 @ 35mA, 8V
30 @ 50mA, 10V
30 @ 5mA, 5V
30 @ 8mA, 10V
35 @ 5mA, 10V
38 @ 7mA, 10V
40 @ 1.5A, 5V
40 @ 100mA, 3V
40 @ 10mA, 2V
40 @ 10mA, 3V
40 @ 1A, 5V
40 @ 1mA, 3V
40 @ 200mA, 2V
40 @ 20mA
40 @ 20mA, 10V
40 @ 20mA, 8V
40 @ 250mA, 5V
40 @ 2A, 5V
40 @ 2mA, 1V
40 @ 30mA, 5V
40 @ 3A, 5V
40 @ 500mA, 5V
40 @ 50mA, 10V
40 @ 50mA, 5V
40 @ 5mA, 10V
40 @ 7mA, 10V
40 @ 80mA, 2V
45 @ 30mA, 5V
48 @ 10mA, 2V
50 @ 100mA, 5V
50 @ 10mA, 2V
50 @ 10mA, 6V
50 @ 10mA, 8V
50 @ 15mA, 8V
50 @ 1mA, 6V
50 @ 20mA, 10V
50 @ 20mA, 3.5V
50 @ 20mA, 8V
50 @ 25mA, 2V
50 @ 35mA, 8V
50 @ 3mA, 2V
50 @ 500µA, 1V
50 @ 50mA, 5V
50 @ 5mA, 10V
50 @ 5mA, 1V
50 @ 5mA, 2.7V
50 @ 5mA, 2V
50 @ 5mA, 6V
50 @ 5mA, 8V
50 @ 8mA, 10V
54 @ 1mA, 5V
60 @ 10mA, 10V
60 @ 15mA, 3V
60 @ 15mA, 5V
60 @ 1mA, 6V
60 @ 20mA, 4V
60 @ 20mA, 6V
60 @ 40mA, 3V
60 @ 40mA, 8V
60 @ 4mA, 10V
60 @ 50mA, 4V
60 @ 5mA, 10V
60 @ 5mA, 3V
60 @ 5mA, 4V
60 @ 5mA, 5V
60 @ 5mA, 6V
60 @ 70mA, 8V
63 @ 100mA, 1V
65 @ 15mA, 10V
65 @ 1mA, 10V
67 @ 1mA, 10V
70 @ 10mA, 1V
70 @ 10mA, 8V
70 @ 15mA, 8V
70 @ 1mA, 10V
70 @ 1mA, 2.7V
70 @ 20mA, 2V
70 @ 2mA, 1V
70 @ 2mA, 2.7V
70 @ 30mA, 8V
70 @ 50mA, 8V
70 @ 5mA, 10V
70 @ 5mA, 2.7V
70 @ 5mA, 8V
70 @ 70mA, 8V
70 @ 7mA, 2V
70 @ 7mA, 3V
72 @ 1mA, 5V
75 @ 10mA, 3V
75 @ 200mA, 8V
75 @ 20mA, 3V
75 @ 30mA, 3V
80 @ 100mA, 10V
80 @ 100mA, 3V
80 @ 100mA, 8V
80 @ 10mA, 3V
80 @ 15mA, 3V
80 @ 20mA, 10V
80 @ 20mA, 8V
80 @ 3mA, 1V
80 @ 5mA, 3V
80 @ 6mA, 3V, 80 @ 20mA, 3V
80 @ 7mA, 3V
82 @ 1mA, 6V
90 @ 15mA, 3V
90 @ 1mA, 6V
90 @ 20mA, 3V
90 @ 40mA, 3V
90 @ 50mA, 5V
90 @ 5mA, 10V
90 @ 5mA, 3V
97 @ 1mA, 5V
100 @ 10mA, 6V
100 @ 1mA, 6V
100 @ 2mA, 4V
100 @ 3mA, 2V
100 @ 40mA, 8V
100 @ 50mA, 5V
100 @ 5mA, 1V
100 @ 5mA, 2V
100 @ 5mA, 6V
100 @ 7mA, 3V
110 @ 1mA, 10V
110 @ 30mA, 3V
110 @ 50mA, 1.5V
110 @ 80mA, 3V
120 @ 4mA, 10V
120 @ 5mA, 10V
130 @ 15mA, 2V
130 @ 5mA, 2V
140 @ 2mA, 1V
140 @ 5mA, 1V
150 @ 160mA, 3V
160 @ 160mA, 4V
160 @ 25mA, 3V
160 @ 5mA, 4V
160 @ 60mA, 3V
160 @ 7mA, 3V
200 @ 5mA, 2V
220 @ 6mA, 2V
250 @ 2mA, 10V
270 @ 5mA, 5V

3.6mA
6.5mA
8mA
10mA
12mA
14mA
15mA
16mA
18mA
20mA
25mA
30mA
30mA, 100mA
30mA, 35mA
32mA
35mA
35mA, 80mA
40mA
45mA
50mA
50mA, 35mA
50mA, 70mA
60mA
65mA
70mA
75mA, 250mA
80mA
90mA
100mA
120mA
150mA
200mA
210mA
250mA
300mA
400mA
500mA
600mA
750mA
800mA
1A
1.5A
2A
2.5A
3A
6A
8A
10A
12A
15A
16A
20A
21A
25A
40A

Chassis, Stud Mount
Поверхностный монтаж
Through Hole

Die
EMT3 (SOT-416, SC-75-3)
M-Type
M04
M05
M111
M113
M122
M13
M135
M14
M16
M164
M174
M177
M33
Mini 3P
NI-860C3
S-Mini 3P
S-Mini 4P
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236
SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)
SC-70-3, SOT-323-3
SC-70-4, SC-82-4, SOT-323-4, SOT-343
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
SC-75
SC-75-3, SOT-416, EMT3, 3-SSMini
SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
SOT-143R
SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA
SOT-23
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-6
SOT-32-3, TO-126-3
SOT-323
SOT-343F, SOT-343 Flat Leads
SOT-343N
SOT-343R
SOT-422A
SOT-423A
SOT-439A
SOT-443A
SOT-445C
SOT-723
SOT-89
SOT-89-3, TO-243-3
SS Mini 3P
Поверхностный монтаж
TD
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TSFP-3
TSFP-4
TSLP-3-1
TSLP-3-9
TSLP-6-1
3-XSOF, MiniMold
4-SMD (200 mil BeO)
4-SMD (35 micro-X)
4-SMD (36 micro-X)
4-SMD (70 mil)
4-SMD (85 Plastic)
4-SMD (86 Plastic)
4-TSFP
6-SMINI
14-SOIC
14-SOIC (3.9мм ширина), 14-SOL
16-QFN
16-SOIC (3.9мм ширина)
86-SMD
744A-01
1608
4-MFP
6-MINIMOLD
8-MINIMOLD

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz · Усиление: 13.5dB ~ 9.5dB · Мощность макcимальная: 210mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 3V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSFP-3 · Compression Point (P1dB): 9dBm

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz · Усиление: 13.5dB ~ 9.5dB · Мощность макcимальная: 380mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 40mA, 3V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSFP-3 · Compression Point (P1dB): 17dBm

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz · Усиление: 13.5dB ~ 9.5dB · Мощность макcимальная: 380mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 40mA, 3V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSLP-3-1 · Compression Point (P1dB): 16dBm

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz · Усиление: 12.5dB ~ 8.5dB · Мощность макcимальная: 380mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 40mA, 3V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-75 · Compression Point (P1dB): 16dBm

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 22GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.35dB @ 1.8GHz ~ 3GHz · Усиление: 16dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 3V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSLP-3-1 · Compression Point (P1dB): 11.5dBm

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz · Усиление: 17dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V · Ток коллектора (макс): 18mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Compression Point (P1dB): 4dBm

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.7dB @ 900MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V · Ток коллектора (макс): 18mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: EMT3 (SOT-416, SC-75-3) · Compression Point (P1dB): 4dBm

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz · Усиление: 13dB ~ 14dB · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V · Ток коллектора (макс): 70mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.6dB @ 900MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V · Ток коллектора (макс): 70mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: EMT3 (SOT-416, SC-75-3) · Compression Point (P1dB): 17dBm

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz · Усиление: 12dB ~ 13dB · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 40mA, 8V · Ток коллектора (макс): 120mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Compression Point (P1dB): 21dBm

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4V · Модуляция частот: 39GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz · Усиление: 25dB · Мощность макcимальная: 40mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 7mA, 3V · Ток коллектора (макс): 10mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSLP-3-1

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4V · Модуляция частот: 42GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz · Усиление: 24dB · Мощность макcимальная: 160mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSLP-3-1 · Compression Point (P1dB): 11dBm

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4V · Модуляция частот: 42GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz · Усиление: 24.5dB · Мощность макcимальная: 160mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSLP-3-1 · Compression Point (P1dB): 11dBm

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4V · Модуляция частот: 37GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.1dB @ 1.8GHz ~ 6GHz · Усиление: 21dB · Мощность макcимальная: 360mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 60mA, 3V · Ток коллектора (макс): 90mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSLP-3-9 · Compression Point (P1dB): 16.5dBm

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2.1dB @ 1GHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 15mA, 10V · Ток коллектора (макс): 25mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2dB @ 1GHz · Усиление: 14dB ~ 8dB · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 15mA, 10V · Ток коллектора (макс): 25mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2dB @ 1GHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 15mA, 10V · Ток коллектора (макс): 25mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 16dB ~ 10.5dB · Мощность макcимальная: 280mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V · Ток коллектора (макс): 45mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 17dB ~ 11.5dB · Мощность макcимальная: 280mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V · Ток коллектора (макс): 45mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-323

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 6GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 5V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 6GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 14.5dB ~ 9.5dB · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V · Ток коллектора (макс): 90mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 6GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 5V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB @ 1GHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 5V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 6GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 15.5dB ~ 10.5dB · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V · Ток коллектора (макс): 90mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-323

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 2.5dB @ 1GHz · Усиление: 21.5dB · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 6V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSLP-3-1

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	BFR 360T E6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR RF NPN 6V SC-75 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz · Усиление: 13.5dB ~ 9.5dB · Мощность макcимальная: 210mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 3V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSFP-3 · Compression Point (P1dB): 9dBm		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BFR 380F E6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR RF NPN 6V TSFP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz · Усиление: 13.5dB ~ 9.5dB · Мощность макcимальная: 380mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 40mA, 3V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSFP-3 · Compression Point (P1dB): 17dBm	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BFR 380L3 E6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR RF NPN 6V TSLP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz · Усиление: 13.5dB ~ 9.5dB · Мощность макcимальная: 380mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 40mA, 3V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSLP-3-1 · Compression Point (P1dB): 16dBm	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BFR 380T E6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR RF NPN 6V SC-75 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 6V · Модуляция частот: 14GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz · Усиление: 12.5dB ~ 8.5dB · Мощность макcимальная: 380mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 40mA, 3V · Ток коллектора (макс): 80mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-75 · Compression Point (P1dB): 16dBm		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BFR 460L3 E6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR RF NPN 4.5V TSLP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4.5V · Модуляция частот: 22GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.35dB @ 1.8GHz ~ 3GHz · Усиление: 16dB · Мощность макcимальная: 200mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 3V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSLP-3-1 · Compression Point (P1dB): 11.5dBm	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BFR505,215	NXP Semiconductors	TRANS NPN 15V 9GHZ SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz · Усиление: 17dB ~ 10dB · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V · Ток коллектора (макс): 18mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Compression Point (P1dB): 4dBm	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BFR505T,115	NXP Semiconductors	TRANS NPN 15V 9GHZ SOT-416 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.7dB @ 900MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V · Ток коллектора (макс): 18mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: EMT3 (SOT-416, SC-75-3) · Compression Point (P1dB): 4dBm	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BFR520,215	NXP Semiconductors	TRANS NPN 70MA 15V 9GHZ SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz · Усиление: 13dB ~ 14dB · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V · Ток коллектора (макс): 70mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BFR520T,115	NXP Semiconductors	TRANS NPN 15V 9GHZ SOT-416 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.6dB @ 900MHz · Мощность макcимальная: 150mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V · Ток коллектора (макс): 70mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: EMT3 (SOT-416, SC-75-3) · Compression Point (P1dB): 17dBm	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BFR540,215	NXP Semiconductors	TRANS NPN 120MA 15V 9GHZ SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz · Усиление: 12dB ~ 13dB · Мощность макcимальная: 500мВт · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 40mA, 8V · Ток коллектора (макс): 120mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Compression Point (P1dB): 21dBm	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BFR 705L3RH E6327	Infineon Technologies	TRANS RF BIPO NPN 10MA TSLP-3-9 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4V · Модуляция частот: 39GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz · Усиление: 25dB · Мощность макcимальная: 40mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 7mA, 3V · Ток коллектора (макс): 10mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSLP-3-1	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BFR 740L3 E6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR RF NPN 4V TSLP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4V · Модуляция частот: 42GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz · Усиление: 24dB · Мощность макcимальная: 160mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSLP-3-1 · Compression Point (P1dB): 11dBm		Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BFR 740L3RH E6327	Infineon Technologies	TRANS RF BIPO NPN 30MA TSLP-3-9 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4V · Модуляция частот: 42GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz · Усиление: 24.5dB · Мощность макcимальная: 160mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V · Ток коллектора (макс): 30mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSLP-3-1 · Compression Point (P1dB): 11dBm	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BFR 750L3RH E6327	Infineon Technologies	TRANS RF BIPO NPN 90MA TSLP-3-9 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 4V · Модуляция частот: 37GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.1dB @ 1.8GHz ~ 6GHz · Усиление: 21dB · Мощность макcимальная: 360mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 60mA, 3V · Ток коллектора (макс): 90mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSLP-3-9 · Compression Point (P1dB): 16.5dBm	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BFR92A,215	NXP Semiconductors	TRANS NPN 25MA 15V 5GHZ SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2.1dB @ 1GHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 15mA, 10V · Ток коллектора (макс): 25mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BFR92AW,115	NXP Semiconductors	TRANS NPN 15V 5GHZ SOT323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2dB @ 1GHz · Усиление: 14dB ~ 8dB · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 15mA, 10V · Ток коллектора (макс): 25mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BFR92AW,135	NXP Semiconductors	TRANS NPN 25MA 15V 5GHZ UMT3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 2dB @ 1GHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 15mA, 10V · Ток коллектора (макс): 25mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BFR 92P E6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 16dB ~ 10.5dB · Мощность макcимальная: 280mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V · Ток коллектора (макс): 45mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BFR 92W E6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR NPN RF 15V SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 15V · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 17dB ~ 11.5dB · Мощность макcимальная: 280mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V · Ток коллектора (макс): 45mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-323	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BFR93A,215	NXP Semiconductors	TRANS NPN 35MA 12V 6GHZ SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 6GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 5V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	от 0,00 до 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BFR 93A E6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 6GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 14.5dB ~ 9.5dB · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V · Ток коллектора (макс): 90mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BFR93AR,215	NXP Semiconductors	TRANS NPN 35MA 12V 6GHZ SOT23 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 6GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz · Мощность макcимальная: 350mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 5V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BFR93AW,115	NXP Semiconductors	TRANS NPN 12V 35MA SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 5GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB @ 1GHz · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 5V · Ток коллектора (макс): 35mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BFR 93AW E6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-323 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 12В · Модуляция частот: 6GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz · Усиление: 15.5dB ~ 10.5dB · Мощность макcимальная: 300mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V · Ток коллектора (макс): 90mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-323	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине
	BFR 949L3 E6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR RF NPN 10V TSLP-3 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 10V · Модуляция частот: 9GHz · Коэфицент шума (dB Typ @ f): 1dB ~ 2.5dB @ 1GHz · Усиление: 21.5dB · Мощность макcимальная: 250mW · Тип транзистора: NPN · Усиление постояного тока (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 6V · Ток коллектора (макс): 50mA · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: TSLP-3-1	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине

Дискретные полупроводники · Высокочастотные транзисторы (BJT)