Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

BLF6G22-180PN,112 — TRANS BASESTATION 2-LDMOST

Производитель	NXP Semiconductors
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Тип транзистора	LDMOS
Частота	2.11GHz
Усиление	17.5dB
Номинальное напряжение	65V
Номинал тока	5µA
Ток - тестовый	1.6A
Напряжение - тестовое	32V
P1dB	50Вт
Корпус	5-LDMOST
Встречается под наим.	934061276112, BLF6G22-180PN, BLF6G22-180PN-ND