Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

 

BLF6G10-135RN,112 — TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502A

ПроизводительNXP Semiconductors
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Тип транзистораLDMOS
Частота871.5MHz
Усиление21dB
Номинальное напряжение65V
Номинал тока32A
Ток - тестовый950mA
Напряжение - тестовое28V
P1dB26.5W
Корпус2-LDMOST, SOT502A
ДокументацияНа сайте nxp.com
Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
BLF6G10LS-135R,118NXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 871.5MHz  ·  Усиление: 21dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 32A  ·  Ток - тестовый: 950mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 26.5W  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 8622,22Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G10LS-135RN:11NXP SemiconductorsTRANS LDMOS POWER 135W SOT-502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 871.5MHz  ·  Усиление: 21dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 32A  ·  Ток - тестовый: 950mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 26.5W  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
BLF6G10LS-135R,112NXP SemiconductorsIC BASESTATION FINAL SOT502B
Тип транзистора: LDMOS  ·  Частота: 871.5MHz  ·  Усиление: 21dB  ·  Номинальное напряжение: 65V  ·  Номинал тока: 32A  ·  Ток - тестовый: 950mA  ·  Напряжение - тестовое: 28V  ·  P1dB: 26.5W  ·  Корпус: 2-LDMOST, SOT502B
от 9101,22Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине

Поискать «BLF6G10-135RN,112» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2020 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте