Войти Регистрация |
|
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
BLF6G10LS-135R,118 | NXP Semiconductors | IC BASESTATION FINAL SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 871.5MHz · Усиление: 21dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 32A · Ток - тестовый: 950mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 26.5W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
BLF6G10LS-135R,112 | NXP Semiconductors | IC BASESTATION FINAL SOT502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 871.5MHz · Усиление: 21dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 32A · Ток - тестовый: 950mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 26.5W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
BLF6G10LS-135RN:11 | NXP Semiconductors | TRANS LDMOS POWER 135W SOT-502B Тип транзистора: LDMOS · Частота: 871.5MHz · Усиление: 21dB · Номинальное напряжение: 65V · Номинал тока: 32A · Ток - тестовый: 950mA · Напряжение - тестовое: 28V · P1dB: 26.5W · Корпус: 2-LDMOST, SOT502B | Доп. информация Искать в поставщиках |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |