Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

BLF4G22S-100,112 — BASESTATION FINAL 2.2GHZ SOT502B

Производитель	NXP Semiconductors
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Тип транзистора	LDMOS
Частота	2.11GHz
Усиление	13.5dB
Номинальное напряжение	65V
Номинал тока	12A
Ток - тестовый	900mA
Напряжение - тестовое	28V
P1dB	25Вт
Корпус	2-LDMOST, SOT502B
Встречается под наим.	568-2399, BLF4G22S-100, BLF4G22S-100-ND