Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

BLF4G22LS-130,112 — BASESTATION FINAL 2.2GHZ SOT502B

Производитель	NXP Semiconductors
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Тип транзистора	LDMOS
Частота	2.11GHz
Усиление	13.5dB
Номинальное напряжение	65V
Номинал тока	15A
Ток - тестовый	1.15A
Напряжение - тестовое	28V
P1dB	33W
Корпус	2-LDMOST, SOT502B
Встречается под наим.	568-2416, BLF4G22LS-130, BLF4G22LS-130-ND