Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

BLF4G20LS-110B,112 — BASESTATION FINAL 2GHZ SOT502B

Производитель	NXP Semiconductors
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Тип транзистора	LDMOS
Частота	1.93GHz
Усиление	13.4dB
Номинальное напряжение	65V
Номинал тока	12A
Ток - тестовый	650mA
Напряжение - тестовое	28V
P1dB	100Вт
Корпус	2-LDMOST, SOT502B
Встречается под наим.	568-2405, BLF4G20LS-110B, BLF4G20LS-110B-ND