Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  Высокочастотные полевые канальные транзисторы

 
BLF4G10LS-160,112

- Габаритный чертеж

BLF4G10LS-160,112 — BASESTATION FINAL 1GHZ SOT502B

ПроизводительNXP Semiconductors
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Тип транзистораLDMOS
Частота894.2MHz
Усиление19.7dB
Номинальное напряжение65V
Номинал тока15A
Ток - тестовый900mA
Напряжение - тестовое28V
P1dB160W
Корпус2-LDMOST, SOT502B
Встречается под наим.568-2392, BLF4G10LS-160, BLF4G10LS-160-ND
Документацияblf4g10ls-160_1.pdf (124.86Кб)
Поискать «BLF4G10LS-160,112» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2020 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте